2~6 inisi 4° ese-matamata P-ituaiga 4H-SiC substrate

Semicera's 2 ~ 6 inisi 4 ° off-angle P-ituaiga 4H-SiC substrates ua faʻainisinia e faʻafetaui le faʻatupulaia o manaʻoga o le mana maualuga ma le gaosiga o masini RF. O le 4° i fafo-angle orientation faʻamautinoaina le faʻatupulaia o le epitaxial, ma avea ai lenei mea ma faʻavae lelei mo le tele o masini semiconductor, e aofia ai MOSFET, IGBT, ma diodes.

O lenei 2 ~ 6 inisi 4 ° off-angle P-ituaiga 4H-SiC substrate o loʻo i ai mea faʻapitoa sili ona lelei, e aofia ai le maualuga o le vevela, faʻaogaina eletise lelei, ma le faʻamautuina o masini. Ole fa'ata'ita'iga i fafo e fesoasoani e fa'aitiitia ai le tele o le micropipe ma fa'aolaina ai le epitaxial layers, lea e taua tele i le fa'aleleia atili o le fa'atinoga ma le fa'amaoni ole masini semiconductor mulimuli.

Semicera's 2 ~ 6 inisi 4 ° off-angle P-ituaiga 4H-SiC substrates o loʻo maua i le tele o diameters, e amata mai i le 2 inisi i le 6 inisi, e fetaui ma manaoga eseese o gaosiga. O a matou mea'ai e fa'ainisinia tonu e tu'uina atu ai tulaga tutusa o le doping ma uiga maualuga maualuga, fa'amautinoa o lo'o fa'amalieina ta'itasi ta'ito'atasi ma fa'amatalaga sa'o mana'omia mo fa'aoga fa'aeletoroni fa'aeletonika.

O le tautinoga a Semicera i le faʻafouina ma le lelei e faʻamautinoa ai o la matou 2 ~ 6 inisi 4 ° off-angle P-type 4H-SiC substrates e tuʻuina atu faʻatinoga faifaipea i le tele o talosaga mai le eletise eletise i masini maualuga. O lenei oloa e maua ai se fofo faʻatuatuaina mo le isi augatupulaga o le malosi-lelei, maualuga-faʻatinoina semiconductors, lagolagoina le alualu i luma faatekinolosi i alamanuia e pei o taavale afi, fesoʻotaʻiga, ma le malosi faʻafouina.