Fa'apipi'i CVD SiC
Silicon carbide(SiC) epitaxy
O le fata epitaxial, o loʻo taofia ai le SiC substrate mo le faʻatupuina o le SiC epitaxial slice, tuʻu i totonu o le potu tali ma faʻafesoʻotaʻi saʻo le wafer.
O le vaega pito i luga o le afa masina o se ave mo isi mea faʻaoga o le potu tali a Sic epitaxy mea faigaluega, ae o le vaega pito i lalo o le masina e fesoʻotaʻi atu i le quartz tube, faʻafeiloaʻi le kesi e tulia ai le faʻavae susceptor e sui.latou vevela-pulea ma faʻapipiʻi i le potu tali e aunoa ma le faʻafesoʻotaʻi tuusaʻo ma le wafer.
O le epitaxy
O le fata, o loʻo uuina le Si substrate mo le faʻatupuina o le Si epitaxial slice, tuʻu i totonu o le potu tali ma faʻafesoʻotaʻi saʻo le wafer.
O le mama preheating o loʻo i luga o le mama pito i fafo o le Si epitaxial substrate tray ma faʻaaogaina mo le faʻavasegaina ma le faʻamafanafanaina.E tu'u i totonu o le potu tali ma e le fa'afeso'ota'i sa'o i le wafer.
O se susceptor epitaxial, lea e taofia ai le Si substrate mo le totoina o se fasi epitaxial Si, tuu i totonu o le potu tali ma faʻafesoʻotaʻi saʻo le wafer.
Epitaxial barrel o vaega autu ia o loʻo faʻaaogaina i le tele o faiga gaosiga o semiconductor, e masani ona faʻaaogaina i masini MOCVD, faʻatasi ai ma le faʻamautuina lelei o le vevela, faʻamaʻi faʻamaʻi ma le faʻaogaina o le ofuina, e fetaui lelei mo le faʻaogaina i le maualuga o le vevela.E fa'afeso'ota'i ma apa.
| 重结晶碳化硅物理特性 Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 使用温度 / vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC 含量 / SiC anotusi | > 99.96% |
| 自由 Si 含量 / Free Si anotusi | <0.1% |
| 体积密度 / Bulk density | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率 / Fa'aaliga manino | <16% |
| 抗压强度 / Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
| 常温抗弯强度 / Malosi e punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度 Malosi vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数 / Fa'alautele le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数 / Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
| 杨氏模量 / Elastic modulus | 240 GPa |
| 抗热震性 / Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
| 烧结碳化硅物理特性 Mea fa'aletino ole Sintered Silicon Carbide | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 化学成分 / Su'ega Fa'aisi | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Bulk Density | >3.07 g/cm³ |
| 显气孔率 / Fa'aaliga manino | <0.1% |
| 常温抗弯强度 / Modulus of rupture i le 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度 / Modulus o le malepelepe ile 1200℃ | 290 MPa |
| 硬度 / Malosi ile 20℃ | 2400 Kilokalama/mm² |
| 断裂韧性 / Maloga gau i le 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| 导热系数 / Fa'avevela vevela ile 1200℃ | 45 w/m .K |
| 热膨胀系数 / Fa'alautele vevela ile 20-1200℃ | 4.5 1 ×10 -6/℃ |
| 最高工作温度 / Max. vevela galue | 1400℃ |
| 热震稳定性 / Te'i te'i vevela ile 1200℃ | Lelei |
| CVD SiC 薄膜基本物理性能 Mea fa'aletino autu o ata CVD SiC | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 晶体结构 / Fa'a tioata | FCC β vaega polycrystalline, tele (111) fa'atatau |
| 密度 / Density | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Malosi 2500 | 维氏硬度(500g uta) |
| 晶粒大小 / Saito SiZe | 2~10μm |
| 纯度 / Vailaau Mama | 99.99995% |
| 热容 / Malosiaga vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sulimation Temperature | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Malosi Fa'afoliga | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Fa'avevela vevela | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le vevela(CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
Pyrolytic Carbon Coating
Vaega autu
O le pito i luga e mafiafia ma leai ni pores.
Le mama maualuga, le atoatoa o mea le mama <20ppm, lelei le ea.
O le maualuga o le vevela, faʻateleina le malosi i le faʻaaogaina o le vevela, e oʻo atu i le maualuga maualuga i le 2750 ℃, sublimation i le 3600 ℃.
Maualalo fa'alelei modulus, maualuga le vevela conductivity, maualalo fa'aluma fa'aputu fa'alautele, ma sili tete'e te'i vevela.
Lelei mautu kemisi, tetee i acid, alkali, masima, ma reagents organic, ma e leai sona aafiaga i uʻamea uʻamea, slag, ma isi ala o faasalalauga corrosive.E le faʻamaʻiina tele i le ea i lalo ole 400 C, ma o le faʻamaʻi faʻamaʻi e matua faateleina i le 800 ℃.
A aunoa ma le tu'uina atu o so'o se kesi i le maualuga o le vevela, e mafai ona fa'atumauina le gaogao o le 10-7mmHg ile tusa ole 1800°C.
Fa'aoga oloa
Li'u fa'afefete mo le fa'asao i totonu o alamanuia semiconductor.
Faitotoa paipa eletise malosi maualuga.
O le pulumu e fa'afeso'ota'i ai le fa'atonu eletise.
Graphite monochromator mo X-ray ma neutron.
Eseese foliga o graphite substrates ma atomic absorption tube coating.
Pyrolytic carbon coating aafiaga i lalo ole 500X microscope, faʻatasi ma faʻamaufaʻailoga luga.
CVD Tantalum Carbide coating
TaC coating o le augatupulaga fou e maualuga le vevela mea, ma sili atu le mautu maualuga maualuga nai lo SiC.I le avea ai o se faʻapipiʻi faʻafefete, ufiufi faʻamaʻi faʻamaʻi ma faʻaofuofu faʻafefete, e mafai ona faʻaaogaina i le siosiomaga i luga aʻe o le 2000C, faʻaaogaina lautele i le aerospace ultra-maualuga vevela vaega pito vevela, o le lona tolu o augatupulaga semiconductor fanua tuputupu ae tioata tasi.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 Meatino faaletino o le ufiufi TaC | |
| 密度/ Density | 14.3 (g/cm3) |
| 比辐射率 / Fa'asa'o fa'apitoa | 0.3 |
| 热膨胀系数/ Fa'aalili fa'alautele fa'avevela | 6.3 10/K |
| 努氏硬度 /Maaa (HK) | 2000 HK |
| 电阻/ Tete'e | 1x10-5 Ohm*cm |
| 热稳定性 / Mausali le vevela | <2500℃ |
| 石墨尺寸变化/Graphite suiga tetele | -10~-20um |
| 涂层厚度/O le mafiafia o le ufiufi | ≥220um tau masani (35um±10um) |
Malosi Silicon Carbide(CVD SiC)
O vaega mautu CVD SILICON CARBIDE ua lauiloa o le filifiliga muamua mo mama RTP / EPI ma faʻavae ma vaega etch cavity plasma o loʻo faʻaogaina i luga ole faiga e manaʻomia ai le vevela (> 1500 ° C), o manaʻoga mo le mama e sili ona maualuga (> 99.9995%). ma o le faatinoga e sili ona lelei pe a sili atu le maualuga o vailaʻau tetee.O nei mea e le o iai ni vaega lona lua i le pito o saito, o lea la o vaega ia e maua ai ni vaega laiti nai lo isi mea.E le gata i lea, o nei vaega e mafai ona faʻamamaina e faʻaaoga ai le HF / HCI vevela ma sina faʻaleagaina, e mafua ai le itiiti ifo o vaega ma le umi o le auaunaga.
