Semicera maualuga mamaFoe Silicon Carbideua mae'a fa'ainisinia e fa'amalieina mana'oga fa'aonaponei fa'agasologa o gaosiga semiconductor. LeneiSiC Cantilever Foee sili atu i siosiomaga vevela maualuga, ofoina atu le mautu vevela e le mafaatusalia ma le tumau masini. O le fausaga o le SiC Cantilever ua fausia e tetee atu ai i tulaga ogaoga, faʻamautinoaina le faʻalagolagoina o le faʻaogaina o wafer i auala eseese.
O se tasi o fa'afouga autu a leSiC Foeo lona mamanu mama ae malosi, lea e mafai ai ona faigofie tuʻufaʻatasia i faiga o iai. O le maualuga o le vevela e fesoasoani i le faatumauina o le mautu o le wafer i taimi taua e pei o le togiina ma le teuina, faʻaitiitia le lamatiaga o le faʻaleagaina o le wafer ma faʻamautinoa le maualuga o le gaosiga. O le faʻaaogaina o le silicon carbide maualuga i le fausiaina o le foe e faʻaleleia ai lona teteʻe i le ofuina ma le masaesae, e maua ai le faʻalauteleina o le ola galue ma faʻaitiitia ai le manaʻomia mo suiga faifaipea.
Semicera tu'u se fa'amamafa malosi i fa'afouga, tu'uina atu aSiC Cantilever Foee le gata ina ausia ae sili atu i tulaga o alamanuia. O lenei foe e sili ona lelei mo le faʻaogaina i le tele o faʻaoga semiconductor, mai le tuʻuina atu i le togiina, lea e taua tele ai le saʻo ma le faʻamaoni. E ala i le tu'ufa'atasia o lenei tekonolosi fa'aonaponei, e mafai e le au gaosi oloa ona fa'amoemoeina le fa'aleleia atili o le lelei, fa'aitiitia le tau o le tausiga, ma le tulaga lelei o oloa.
Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
Meatotino | Taua masani |
vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
SiC anotusi | > 99.96% |
Free Si anotusi | < 0.1% |
Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
E aliali mai le porosity | <16% |
Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
Fa'ateleina le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
Fa'aula'i fa'alava | 240 GPa |
Tete'e te'i vevela | Lelei tele |