Semicera fa'alauiloa semiconductor maualugafoe fa'alava fa'amea fa'asilikoni, ua mamanuina e faʻafetaui ai manaʻoga faigata o le gaosiga o semiconductor faʻaonapo nei.
O lefoe silikon carbideo lo'o fa'aalia ai se mamanu fa'apitoa e fa'aitiitia ai le fa'alauteleina o le vevela ma le fa'afefe, ma fa'alagolago tele i tulaga ogaoga. O lona fausiaina malosi e ofoina atu le faʻaleleia atili o le tumau, faʻaitiitia ai le lamatiaga o le gau poʻo le ofuina, lea e taua tele i le faatumauina o fua maualuga ma le lelei o le gaosiga faifaipea. O leva'a apafa'apipi'i fa'atasi fo'i fa'atasi ma mea faigaluega fa'agasologa semiconductor, fa'amautinoa le fetaui ma le faigofie o le fa'aoga.
O se tasi o foliga iloga o le SemiceraSiC foeo lona tete'e i vaila'au, lea e mafai ai ona fa'atinoina lelei i totonu o si'osi'omaga e fa'aalia i kasa ma vaila'au fa'ama'i. O le taula'i a Semicera i le fa'aganu'u fa'apitoa e mafai ai ona fa'afetaui fofo.
| Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| Meatotino | Taua masani |
| vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC anotusi | > 99.96% |
| Free Si anotusi | < 0.1% |
| Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
| E aliali mai le porosity | <16% |
| Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
| Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| Fa'ateleina le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
| Fa'aula'i fa'alava | 240 GPa |
| Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
