InP ma le CdTe Substrate

Fa'amatalaga Puupuu:

Semicera's InP ma CdTe Substrate solutions ua mamanuina mo fa'aoga maualuga i le semiconductor ma le la. O a matou InP (Indium Phosphide) ma CdTe (Cadmium Telluride) substrates e ofoina atu mea faʻapitoa faʻapitoa, e aofia ai le maualuga o le lelei, lelei le faʻaogaina o le eletise, ma le malosi o le mafanafana. O nei substrates e lelei mo le faʻaogaina i masini optoelectronic maualuga, transistors maualuga-telefoni, ma sela manifinifi-tifi la, maua ai se faavae faatuatuaina mo tekinolosi pito.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Faatasi ai ma Semicera'sInP ma le CdTe Substrate, e mafai ona e fa'amoemoe e sili atu le lelei ma le sa'o fa'ainisinia e fa'amalieina mana'oga fa'apitoa o au gaosiga o gaosiga. Pe mo talosaga photovoltaic po'o masini semiconductor, o tatou substrate ua mamanuina ina ia mautinoa lelei le faatinoga, tumau, ma le tumau. I le avea ai o se kamupani fa'atuatuaina, Semicera ua tuuto atu i le tu'uina atu o fofo sili ona lelei, fa'apitoa e mafai ona fa'aosoina le fa'afouga i vaega fa'aeletonika ma malosiaga fa'afouina.

Meatotino Faila ma Eletise1

Ituaiga
Fa'amama
EPD(cm–2(Vaai i lalo A.)
DF(Sa'o se pona) itu(cm2, Va'ai i lalo B.)
c/(c cm–3
Mobilit (y cm2/Vs)
Resistivit(y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0.5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59.4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59.4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
leai se tasi
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 O isi faʻamatalaga o loʻo avanoa i luga ole talosaga.

A.13 togi averesi

1. O le tele o le lua etch e fuaina ile 13 points.

2. E fa'atatauina le averesi o le mamafa o le va'aiga.

B.DF Fua Fa'afanua (I le tulaga o le Fa'amautinoaga a le Eria)

1. E 69 mata'i o lo'o fa'aalia i le sa'o ua faitaulia.

2. DF o loʻo faʻamatalaina o le EPD itiiti ifo i le 500cm–2
3. Ole pito maualuga ole DF e fuaina ile metotia ole 17.25cm2
InP ma le CdTe Substrate (2)
InP ma le CdTe Substrate (1)
InP ma le CdTe Substrate (3)

InP Single Crystal Substrates Fa'amatalaga masani

1. Fa'atonuga
Fa'asinomaga luga (100)±0.2º po'o (100)±0.05º
E avanoa le fa'atonuga i luga ole laiga pe a talosagaina.
Fa'asinomaga ole mafolafola O : (011)±1º po'o le (011)±0.1º IF : (011)±2º
Cleaved OF e avanoa pe a talosagaina.
2. Fa'ailoga leisa e fa'atatau i tulaga SEMI o lo'o avanoa.
3. O loʻo avanoa le afifi taʻitoʻatasi, faʻapea foʻi ma le afifi ile N2 gas.
4. Etch-and-pack in N2 gas o lo'o avanoa.
5. O lo'o maua fa'ailoga fa'a'afa'afa.
O loʻo i luga faʻamatalaga o le JX 'standard.
Afai e manaʻomia nisi faʻamatalaga, faʻamolemole fesili mai ia i matou.

Fa'atonuga

 

InP ma le CdTe Substrate (4)(1)
Semicera Nofoaga faigaluega
Semicera fale faigaluega 2
Meafaigaluega masini
CNN fa'agaioiga, fa'amama vaila'au, fa'apipi'i CVD
Semicera Faleoloa
O la matou tautua

  • Muamua:
  • Sosoo ai: