Ole galuega autu ole lagolago va'a silicon carbide ma lagolago va'a quartz e tutusa. Silicon carbide vaʻa lagolago e sili ona lelei le faʻatinoga ae maualuga le tau. O lo'o fa'atupuina ai se isi so'oga fa'atasi ma le va'a quartz lagolago i masini e fa'agaioia maa ma tulaga faigata o galuega (e pei o mea faigaluega LPCVD ma masini fa'asalalau boron). I masini e gaosia ai maa ma tulaga masani o galuega, ona o sootaga tau, silicon carbide ma quartz vaʻa lagolago o loʻo ola faʻatasi ma faʻatauvaʻa vaega.
① Suiga sootaga i le LPCVD ma masini faʻasalalau boron
O mea faigaluega LPCVD e fa'aogaina mo le fa'ama'iina o le fa'ama'i maa ma le fa'agasologa o tapenaga o le polysilicon layer. Fa'avae galue:
I lalo ole siosiomaga maualalo, faʻatasi ma le vevela talafeagai, gaioiga faʻamaʻi ma le faʻapipiʻiina o ata tifaga e ausia e saunia ai ultra-thin tunneling oxide layer ma polysilicon film. I le tunneling oxidation ma doped polysilicon layer sauniuniga faagasologa, o le lagolago vaa ei ai se vevela galue maualuga ma o le a teuina se ata silicon i luga o le fogaeleele. O le fa'alauteleina o le vevela o le quartz e matua ese lava mai le silikoni. Pe a faʻaaogaina i le faʻagasologa o loʻo i luga, e tatau ona faʻapipiʻi i taimi uma e aveese ai le silikoni o loʻo teuina i luga e puipuia ai le lagolago o le vaʻa quartz mai le malepelepe ona o le faʻalauteleina o le vevela ma le faʻaitiitia ona o le eseesega o le faʻalauteleina o le vevela mai le silicon. Ona o le pikiina faifaipea ma le maualalo o le malosi o le vevela, o le quartz boat holder e puupuu lona olaga ma e masani ona suia i le tunnel oxidation ma doped polysilicon layer preparation process, lea e matua faateleina ai le tau o le gaosiga o le cell battery. O le fa'aopoopoga fa'aopoopo o le silicon carbide e latalata i le silicon. I le tunnel oxidation ma doped polysilicon layer preparation process, e le manaʻomia e le faʻapipiʻi vaʻa carbide tuʻufaʻatasia le pikiina, e maualuga le malosi o le vevela ma le umi o le ola tautua, ma o se isi mea lelei i le vaʻa quartz.
O meafaigaluega faʻalautele Boron e masani ona faʻaaogaina mo le faagasologa o le doping elemene boron i luga o le N-ituaiga silicon wafer substrate o le maa cell e saunia ai le P-ituaiga emitter e fausia ai se PN junction. O le ta'iala galue o le iloa lea o le fa'aogaina o vaila'au ma le fa'avaeina o ata tifaga mole mole i totonu o se siosiomaga maualuga-vevela. A maeʻa ona faia le ata tifaga, e mafai ona faʻasalalauina e ala i le vevela vevela maualuga e iloa ai le gaioiga o le doping o le luga o le silicon wafer surface. Ona o le maualuga o le vevela galue o meafaigaluega faʻalauteleina boron, o loʻo i ai i le vaʻa vaʻa quartz e maualalo le malosi o le vevela ma se olaga puʻupuʻu i totonu o meafaigaluega faʻalautele boron. O le fa'apipi'i va'a fa'apipi'i silicon carbide o lo'o i ai le malosi maualuga-maualuga ma o se suiga lelei i le fa'amauina va'a quartz i le fa'alauteleina o le boron.
② Suiga sootaga i isi masini faʻagasologa
SiC va'a lagolago o loʻo i ai le malosi o le gaosiga ma sili atu le faʻatinoga. O latou tau e masani ona maualuga atu nai lo le lagolago o vaʻa quartz. I tulaga masani o galuega o masini gaosi masini, o le eseesega i le olaga tautua i le va o lagolago vaʻa SiC ma lagolago vaʻa quartz e laʻititi. O tagata fa'atau i lalo e masani lava ona fa'atusatusa ma filifili i le va o tau ma fa'atinoga e fa'atatau i a latou lava faiga ma mana'oga. O lagolago va'a SiC ma lagolago va'a quartz ua fa'atasi ma fa'atauva. Ae ui i lea, o le tupe mama maualalo o lagolago vaʻa SiC e fai si maualuga i le taimi nei. Faatasi ai ma le paʻu o le tau o le gaosiga o lagolago vaʻa SiC, afai o le tau faʻatau atu o le vaʻa SiC e lagolagoina malosi, o le a sili atu foi le faʻatauvaʻa i lagolago vaʻa quartz.
(2) Fa'aaogāina fua faatatau
Ole auala ole tekonolosi ole telefoni ole PERC ma le TOPCon tekonolosi. O le maketi o le PERC tekinolosi e 88%, ma le maketi o le TOPCon tekinolosi e 8.3%. O le tu'ufa'atasiga o maketi o le lua e 96.30%.
E pei ona faʻaalia i le ata o loʻo i lalo:
I tekinolosi PERC, e manaʻomia lagolago vaʻa mo le faʻasalalauina o le phosphorus i luma ma faʻagasologa faʻasolosolo. I tekinolosi TOPCon, e manaʻomia lagolago vaʻa mo le faʻasalalauina o le boron pito i luma, LPCVD, faʻasalalauga faʻasolosolo tua ma faʻagasologa faʻasolosolo. I le taimi nei, e masani ona faʻaaogaina lagolago vaʻa carbide silicon i le LPCVD faʻagasologa o tekonolosi TOPCon, ma o latou faʻaoga i le faagasologa o le faʻasalalauina o le boron ua faʻamaonia tele.
Ata Fa'aaogāga lagolago va'a i le fa'agaioiina o sela:
Faʻaaliga: A maeʻa le pito i luma ma tua o le PERC ma TOPCon tekinolosi, o loʻo i ai pea laasaga e pei o le lolomi o le screen, sintering ma le suʻega ma le faʻavasegaina, lea e le aofia ai le faʻaogaina o vaʻa lagolago ma e le o lisiina i luga o le ata.
(3) Tulaga tau atina'e i le lumana'i
I le lumanaʻi, i lalo o le faʻamalosia o le lelei atoatoa o le faʻaogaina o le vaʻa carbide vaʻa, o le faʻaauau pea o le faʻalauteleina o tagata faʻatau ma le faʻaitiitia o tau ma le faʻaleleia atili o le gaosiga o le photovoltaic, o loʻo faʻamoemoeina le faʻateleina o le maketi o lagolago vaʻa silicon carbide.
① I totonu o le siosiomaga faigaluega o le LPCVD ma le boron diffusion mea faigaluega, o le faʻatinoga atoatoa o lagolago vaʻa silicon carbide e sili atu nai lo le quartz ma e umi le auaunaga.
② O le faʻalauteleina o tagata faʻatau o tagata gaosi oloa lagolago vaʻa carbide o loʻo faʻatusalia e le kamupani e lamolemole. O le tele o tagata faʻatau i le alamanuia e pei o North Huachuang, Songyu Technology ma Qihao New Energy ua amata ona faʻaogaina le lagolago vaʻa carbide.
③ Fa'aitiitiga tau ma le fa'aleleia atili o le fa'aleleia o lo'o i ai i taimi uma le tuliloaina o le alamanuia photovoltaic. Faʻasaoina o tau e ala i le tele o sela maa o se tasi lea o faʻaaliga o le faʻaitiitia o tau ma le faʻaleleia lelei o le gaosiga o le photovoltaic. Faatasi ai ma le masani o sela tetele maa, o le lelei o le silicon carbide vaa lagolago ona o latou lelei atoatoa faatinoga o le a sili atu ona manino.
Taimi meli: Nov-04-2024