O meatotino semiconductor sima

Vaega:

O le resistivity o ceramics ma meatotino semiconductor e tusa ma le 10-5 ~ 107ω.cm, ma o le semiconductor meatotino o mea sima e mafai ona maua e ala i le doping poʻo le mafua ai o faaletonu lattice mafua mai stoichiometric deviation. Ceramic faʻaaogaina lenei metotia e aofia ai TiO2,

ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 ma SiC. O uiga eseese osemiconductor keramikae faapea o latou conductivity eletise e suia ma le siosiomaga, lea e mafai ona faaaoga e faia ai ituaiga eseese o masini maaleale sima.

E pei o le vevela vevela, kesi maaleale, susu maaleale, mamafa maaleale, malamalama maaleale ma isi masini. Semiconductor spinel meafaitino, pei o Fe3O4, o loʻo faʻafefiloi ma mea e le faʻaaogaina spinel mea, e pei o MgAl2O4, i vaifofo mautu pulea.

MgCr2O4, ma le Zr2TiO4, e mafai ona fa'aaogaina e fai ma thermistors, o mea ia e fa'atonuina ma le fa'aeteete masini tetee e fesuisuia'i ma le vevela. E mafai ona suia le ZnO e ala i le fa'aopoopoina o oxides pei ole Bi, Mn, Co ma Cr.

O le tele o nei oxides e le solo solo solo i le ZnO, ae deflection i luga o le tuaoi o saito e fausia ai se pa puipui, ina ia maua ai le ZnO varistor mea sima, ma o se ituaiga o mea e sili ona lelei le faatinoga i varistor ceramics.

SiC doping (pei o le tagata kaponi uliuli, graphite pauta) e mafai ona sauniamea semiconductorfaʻatasi ai ma le mautu maualuga o le vevela, faʻaaogaina e avea ma elemene faʻavevela tetee eseese, o lona uiga, ogalaau carbon carbon i totonu o ogaumu eletise maualuga. Puleaina le resistivity ma le koluse o le SiC e ausia toetoe lava o soʻo se mea e manaʻomia

Tulaga faʻaogaina (e oʻo atu i le 1500 ° C), faʻateleina lona resistivity ma faʻaititia le vaega faʻalava o le elemene faʻavevela o le a faʻateleina ai le vevela na gaosia. Silicon carbon rod i le ea o le a tupu oxidation tali, o le faaaogaina o le vevela e masani lava faatapulaaina i le 1600 ° C i lalo, o le ituaiga masani o le kasa carbon rod.

Ole vevela ole fa'agaioiga ole 1350°C. I le SiC, o le Si atom ua suia e se N atom, ona o le N e sili atu electrons, o loʻo i ai le tele o electrons, ma o lona malosi maualuga e latalata i le pito i lalo o le faʻaupuga ma e faigofie ona siitia i le faʻaupuga faʻaulu, o lea o lenei tulaga malosi. ua ta'ua foi o le tulaga foa'i, lea afa

O ta'ita'i o N-ituaiga semiconductor po'o fa'aeletoroni fa'atautaia semiconductors. Afai o le Al atom e faʻaaogaina i le SiC e sui ai le Si atom, ona o le leai o se eletise, o le tulaga o le malosi o meafaitino e latalata i le valence electron band i luga, e faigofie ona talia electrons, ma o lea e taʻua ai le taliaina.

O le maualuga maualuga o le malosi, lea e tuua ai se avanoa avanoa i le valence band e mafai ona taitaia electrons ona o le avanoa avanoa e galue tutusa ma le ave taavale totogi lelei, ua taʻua o se P-ituaiga semiconductor po o pu semiconductor (H. Sarman,1989).