I le faagasologa o le gaosiga o semiconductor,togitogigatekinolosi o se faiga taua lea e faʻaaogaina e aveese saʻo mea e le manaʻomia i luga o le substrate e fausia ai mamanu faʻalavelave lavelave. O lenei tusiga o le a faʻaalia ai ni faʻamatalaga faʻapitoa e lua tekinolosi faʻapipiʻi - capacitively coupled plasma etching (CCP) ma inductively coupled plasma etching (ICP), ma su'esu'e a latou talosaga i le togitogiina o mea eseese.
Etching plasma fa'apipi'i malosi (CCP)
O le fa'aogaina o le plasma etching (CCP) e mafai ona maua e ala i le fa'aogaina o le RF voltage i lua pa'u eletise tutusa e ala i le fa'atusa ma le DC poloka poloka. O eletise e lua ma le plasma faʻatasi e fausia ai se capacitor tutusa. I lenei faagasologa, o le RF voltage e fausia ai se atigi malosi e lata ane i le eletise, ma o le tuaoi o le faʻailoga e suia i le televave o le faʻafefe. Pe a oʻo atu le eletise i lenei faʻaulu vave suia, e atagia ma maua ai le malosi, lea e faʻaosoina ai le faʻamavaeina poʻo le ionization o mole kesi e fausia ai le plasma. E masani ona faʻaaogaina le CCP etching i mea e maualuga atu le malosi o le vailaʻau, e pei o dielectrics, ae ona o le maualalo o lona fua faʻatatau, e talafeagai mo talosaga e manaʻomia ai le pulea lelei.
Fa'apipi'i fa'apipi'i plasma etching (ICP)
Plasma fa'aulu fa'atasitogitogiga(ICP) e fa'avae i luga o le fa'atonuga e ui atu i se vili e fa'atupu ai se maneta fa'aoso. I lalo o le gaioiga a lenei maneta, o le eletise i totonu o le potu tali e faʻavavevave ma faʻaauau pea ona faʻavavevave i totonu o le eletise eletise, e iu lava ina fetoʻai ma mole kesi tali, ma mafua ai ona vavae pe ionize le mole ma fausia ai le plasma. O lenei metotia e mafai ona maua ai se maualuga maualuga o le ionization ma faʻatagaina le maualuga o le plasma ma le malosi o le pomu e faʻafetaui tutoʻatasi, lea e faia ai.ICP togitogigae fetaui lelei mo mea etching ma le maualalo o le malosi o le fusifusia, e pei o le silikoni ma le uamea. E le gata i lea, o tekinolosi ICP e maua ai foi le tutusa lelei ma le fua o le etching.
1. Utala uamea
E masani ona fa'aogaina le u'amea u'amea mo le fa'agaioiina o feso'ota'iga feso'ota'iga ma uaea u'amea e tele. O ona manaʻoga e aofia ai: maualuga fua faʻatatau, maualuga le filifilia (sili atu nai lo le 4: 1 mo le ufimata layer ma sili atu nai lo le 20: 1 mo le interlayer dielectric), maualuga etching uniformity, lelei le pulea o itu taua, leai se faaleagaina plasma, faaitiitia contaminants, ma leai se pala i uamea. E masani ona fa'aogaina e le u'amea u'amea meafaigaluega etching plasma fa'apipi'i fa'atasi.
•Alumini etching: Alumini o le mea sili ona taua uaea i le ogatotonu ma tua laasaga o le gaosiga o chip, ma le lelei o le maualalo o le tetee, faigofie teuina ma etching. E masani ona fa'aogaina e le fa'apalapala alumini le plasma e gaosia e le kasa chloride (pei o le Cl2). O le alumini e tali atu i le chlorine e maua ai le alumini chloride (AlCl3). E le gata i lea, o isi halides e pei o SiCl4, BCl3, BBr3, CCl4, CHF3, ma isi mea faapena e mafai ona faʻaopoopoina e aveese ai le oxide layer i luga o le alumini alumini e faʻamautinoa ai le etching masani.
• Tungsten etching: I le tele-layer uaea interconnection fausaga, tungsten o le uʻamea autu faʻaaogaina mo le vaeluagalemu vaega interconnection o le pu. E mafai ona fa'aogaina kasa fa'avae fluorine po'o kasa e fa'asolo ai le tungsten u'amea, ae o kasa fa'avae fluorine e le lelei le filifilia mo le silicon oxide, ae o kasa fa'avae chlorine (e pei o le CCl4) e sili atu le filifilia. E masani ona fa'aopoopoina le nitrogen i le kesi fa'afoliga ina ia maua ai se kelu fa'amau maualuga, ma fa'aopoopo le okesene e fa'aitiitia ai le fa'aputuga o kaponi. Etching tungsten ma chlorine-faʻavae kasa e mafai ona ausia anisotropic etching ma maualuga filifili. O kasa o loʻo faʻaaogaina i le mago etching o le tungsten e masani lava SF6, Ar ma O2, lea e mafai ona decomposed SF6 i le plasma e maua ai atoms fluorine ma tungsten mo gaioiga faʻainisinia e maua ai le fluoride.
• Titanium nitride etching: Titanium nitride, e pei o se mea ufimata malo, e suitulaga ai le silicon nitride po o le oxide mask masani i le faiga lua damascene. Titanium nitride etching e masani ona faʻaaogaina i le faʻagasologa o le tatalaina o ufimata faigata, ma o le gaioiga autu o le TiCl4. O le filifiliga i le va o le ufimata masani ma le maualalo-k dielectric layer e le maualuga, lea o le a taʻitaʻia ai le faʻaalia o le faʻailoga arc-foliga i luga o le pito i luga o le pito i lalo-k dielectric layer ma le faʻalauteleina o le lautele lautele pe a uma ona etching. O le va i le va o laina u'amea ua teuina e la'ititi tele, lea e faigofie ona fa'apipi'i le leaka po'o le malepe sa'o.
2. Fa'agata fa'amama
O le mea o le insulator etching e masani lava o mea dielectric e pei o le silicon dioxide poʻo le silicon nitride, lea e masani ona faʻaaogaina e fausia ai pu faʻafesoʻotaʻi ma pu ala e faʻafesoʻotaʻi ai vaega eseese. Dielectric etching e masani ona faʻaaogaina se etcher e faʻavae i luga o le mataupu faavae o le capacitively coupled plasma etching.
• Va'ava'ava'ava'a o le ata o le silicon dioxide: E masani ona togitogia le ata o le silicon dioxide i le fa'aogaina o kasa o lo'o iai le fluorine, e pei o le CF4, CHF3, C2F6, SF6 ma le C3F8. O le kaponi o loʻo i totonu o le kasa etching e mafai ona tali atu i le okesene i le oxide layer e maua ai mea e maua mai i CO ma CO2, ma aveese ai le okesene i le oxide layer. CF4 o le kesi etching e masani ona fa'aaogaina. Pe a fetoʻai le CF4 ma eletise maualuga, e gaosia ai ion eseese, radicals, atoms ma radical free. Fluorine free radicals e mafai ona gaoioi fa'ama'i ma le SiO2 ma le Si e maua ai le silicon tetrafluoride (SiF4).
• Va'ava'ava'ava'a o le ata o le silicon nitride: E mafai ona togitogia le ata o le silicon nitride i le fa'aogaina o le plasma etching ma le CF4 po'o le CF4 kasa fefiloi (ma le O2, SF6 ma le NF3). Mo Si3N4 ata tifaga, pe a CF4-O2 plasma po o isi kasa plasma o loʻo i ai F atoms e faʻaaogaina mo le etching, e mafai ona oʻo i le 1200Å / min le fua faʻatatau o le silicon nitride, ma o le filifilia o le etching e mafai ona maualuga e 20:1. O le oloa autu o le silicon tetrafluoride (SiF4) e faigofie ona maua mai.
4. etching tioata tioata tasi
E masani ona fa'aogaina le fa'a'aisa tioata tioata ta'itasi e fausia ai le va'a papa'u (STI). O lenei faiga e masani ona aofia ai se faʻagasologa faʻasolosolo ma se faʻagasologa autu etching. O le faʻagasologa o le faʻaogaina e faʻaaogaina ai le SiF4 ma le NF gas e aveese ai le oxide layer i luga o le mata o le tioata tioata tasi e ala i le osofaʻi malosi o le ion ma le gaioiga faʻamaʻi o elemene fluorine; o le etching autu e fa'aaogaina le hydrogen bromide (HBr) e fai ma etchant autu. O le bromine radicals ua fa'aleagaina e le HBr i totonu o le si'osi'omaga o le plasma e tali atu i le silicon e fausia ai le silicon tetrabromide (SiBr4), ma aveese ai le silicon. E masani ona fa'aogaina e le fa'ameamea tioata tasi le masini etching plasma.
5. Polysilicon Etching
Polysilicon etching o se tasi lea o faiga autu e fuafua ai le tele o le faitotoa o transistors, ma o le tele o le faitotoa e aafia saʻo ai le faatinoga o taʻaloga tuʻufaʻatasia. Polysilicon etching e manaʻomia ai se fua faatatau filifilia lelei. O kasa halogen e pei o le chlorine (Cl2) e masani ona faʻaaogaina e ausia ai le anisotropic etching, ma maua ai se fua faatatau filifilia lelei (e oʻo atu i le 10: 1). O kasa fa'avae bromine e pei ole hydrogen bromide (HBr) e mafai ona maua ai se fuafa'atatau o le filifilia maualuga (e o'o i le 100:1). O le fa'afefiloi o le HBr ma le chlorine ma le okesene e mafai ona fa'ateleina ai le fua o le etching. O mea fa'afofoga o le kesi halogen ma le silikoni o lo'o tu'u i luga o puipui puipui e fai ai se puipuiga. E masani ona fa'aogaina e le Polysilicon etching se masini etching plasma fa'apipi'i fa'atasi.
Pe o le capacitively coupled plasma etching po'o le inductively coupled plasma etching, e tofu lava ma ona tulaga lelei ma uiga fa'apitoa. Filifilia o se tekinolosi etching talafeagai e le gata e mafai ona faʻaleleia le lelei o le gaosiga, ae faʻamautinoa foi le maua o le oloa mulimuli.
Taimi meli: Nov-12-2024