Muamua, tuu polycrystalline silicon ma dopants i totonu o le quartz crucible i totonu o le ogaumu tioata tasi, siitia le vevela i le sili atu i le 1000 tikeri, ma maua polycrystalline silicon i se tulaga liusuavai.
Silicon ingot tuputupu aʻe o se faagasologa o le faia polycrystalline silikoni tioata tioata tasi. A maeʻa ona faʻamafanafanaina le polycrystalline silicon i totonu o le vai, o le siosiomaga vevela e faʻatonutonu tonu e tupu aʻe i tioata taʻitasi maualuga.
manatu fa'atatau:
Tupulaga tioata tasi:A maeʻa le vevela o le polycrystalline silicon solution e faʻamautu, o le fatu tioata e faʻagasolo malie i lalo i le silicon liusu (o le fatu tioata o le a faʻafefeteina foi i le faʻafefeteina), ona sii aʻe lea o le tioata fatu i se saoasaoa patino mo le totoina. faiga. Ona fa'ato'a fa'ate'aina lea o fa'alavelave fa'atupu i le taimi o le fa'atosinaina o fatu e ala i le fa'aogaina o le ua. Pe a faʻaitiitia le ua i se umi lava, o le lautele o le tioata tioata tasi e faʻalauteleina i le tau faʻatatau e ala i le fetuunaiga o le tosoina o le saoasaoa ma le vevela, ona faʻatumauina ai lea o le lautele tutusa e tuputupu aʻe i le umi faʻatatau. Ma le mea mulimuli, ina ia mafai ona puipuia le dislocation mai le faalautele atu i tua, o le ingot tioata e tasi ua maeʻa e maua ai le tioata tasi ua maeʻa, ona ave lea i fafo pe a maeʻa le vevela.
Metotia mo le sauniaina o le tioata tioata tasi:CZ auala ma auala FZ. O le auala CZ ua faapuupuuina o le auala CZ. O le uiga o le auala CZ o loʻo aoteleina i totonu o le faʻaogaina o le vevela saʻo-silinder, e faʻaogaina ai le faʻavevelaina o le graphite e faʻafefe ai le polycrystalline silicon i totonu o le quartz crucible maualuga-mama, ona faʻapipiʻi lea o le tioata fatu i totonu o le liusuavai luga mo le faʻamalosi, aʻo feliuliua'i le tioata o fatu, ona toe fesuia'i lea o le ipu. O le tioata o fatu e fa'ae'e lemu i luga, ma a mae'a le fa'agasologa o le totoina, fa'atuputeleina, suiga o tauau, tutusa le lautele o le tuputupu a'e, ma le si'usi'u, ona maua lea o se kasa tioata se tasi.
O le sone liusuavai auala o se metotia o le faʻaaogaina o polycrystalline ingots e faʻafefete ai ma faʻamalo tioata semiconductor i vaega eseese. E fa'aaogaina le malosi vevela e fa'atupuina ai se sone liusuavai i le tasi pito o le la'au semiconductor, ona fa'apipi'i lea o se tioata fatu tioata e tasi. O le vevela e fetuutuunai ina ia faʻagasolo malie atu le sone liusuavai i le isi pito o le tootoo, ma e ala i le tootoo atoa, e tupu aʻe se tioata se tasi, ma o le faʻataʻitaʻiga tioata e tutusa ma le tioata fatu. O le sone liusuavai auala ua vaevaeina i ni ituaiga se lua: sone faalava auala liusuavai ma le tūsaʻo taofi sone liusua auala. O le mea muamua e masani ona faʻaaogaina mo le faʻamamaina ma le tuputupu aʻe tioata tasi o mea e pei ole germanium ma GaAs. O le mea mulimuli o le faʻaaogaina lea o se koli maualuga i totonu o se atemosifia poʻo se ogaumu gaogao e faʻatupu ai se sone uʻamea i le fesoʻotaʻiga i le va o le tioata fatu tioata tasi ma le polycrystalline silicon rod o loʻo tautau i luga ae, ona faʻaosoina lea o le sone liusua i luga e tupu ai se tasi. tioata.
E tusa ma le 85% o u'u fa'asolo e gaosia e le auala Czochralski, ma e 15% o fa'ama'i fa'asolo e gaosia e le sone fa'afefeteina. E tusa ai ma le talosaga, o le tioata tioata tasi e tupu aʻe e le Czochralski metotia e masani ona faʻaaogaina e gaosia ai vaega faʻapipiʻi tuʻufaʻatasia, ae o le tioata tioata tasi e tupu aʻe i le auala faʻafefeteina e masani ona faʻaaogaina mo le eletise eletise. O le auala Czochralski o loʻo i ai se faʻagasologa matua ma e sili atu ona faigofie le faʻatupuina o le silikoni tioata tasi-tele-diameter; O le faʻafefeteina o le sone e le faʻafesoʻotaʻi le atigipusa, e le faigofie ona faʻaleagaina, e maualuga lona mama, ma e talafeagai mo le gaosiga o masini eletise eletise, ae sili atu ona faigata ona faʻatupuina le tele-diameter tasi tioata tioata, ma e masani lava ona faʻaaogaina mo le 8 inisi pe itiiti ifo le lautele. O loʻo faʻaalia e le vitio le auala Czochralski.
Ona o le faigata i le puleaina o le lautele o le tasi tioata silicon tootoo i le faagasologa o le tosoina o le tioata e tasi, ina ia mafai ai ona maua laau silicon o diameters masani, e pei o 6 inisi, 8 inisi, 12 inisi, ma isi. Ina ua uma ona tosoina le tasi tioata, o le a taʻavale le lautele o le silicon ingot ma eleele. O le pito i luga o le tootoo silicon pe a uma ona taʻavale e lamolemole ma e laʻititi le mea sese tele.
I le fa'aaogaina o tekinolosi fa'atekonolosi uaea, e tipiina ai le atigi tioata e tasi i ni fasi kasa e fetaui lelei ma le mafiafia e ala i meafaigaluega fa'a'oti.
Ona o le laʻititi o le mafiafia o le silicon wafer, o le pito o le silicon wafer pe a uma ona tipi e matua maʻai. O le faʻamoemoega o le olo o le mata o le fausia lea o se mata lamolemole ma e le faigofie ona malepe i le gaosiga o le chip i le lumanaʻi.
LAPPING o le fa'aopoopoina lea o le wafer i le va o le ipu mafolafola mamafa ma le ipu tioata pito i lalo, ma fa'aoga le mamafa ma feliuliua'i ma le abrasive e fa'amafola ai le wafer.
O le togitogiina o se faiga e aveese ai le faaleagaina o luga o le wafer, ma o le vaega o luga ua faaleagaina e ala i gaioiga faaletino e soloia e se vaifofo kemikolo.
O le olo fa'alua itu o se faiga e fa'alelei ai le fa'amafola ma aveese tama'i to'i i luga.
O le RTP o se faʻagasologa o le vave faʻavevelaina o le wafer i ni nai sekone, ina ia faʻaogaina mea leaga i totonu o le wafer, faʻafefe mea leaga uamea, ma taofia le faʻaogaina o le semiconductor.
O le fa'ailoina o se fa'agasologa e fa'amautinoa ai le fa'alelei o luga e ala i le fa'amama sa'o lelei o luga. O le faʻaaogaina o slurry polesi ma ie faʻalelei, tuʻufaʻatasia ma le vevela talafeagai, mamafa ma le saoasaoa o le suiga, e mafai ona faʻaumatia ai le faʻaleagaina faʻainisinia o loʻo totoe e le faagasologa muamua ma maua ai faʻamaʻi silicon ma sili ona lelei luga.
O le faʻamoemoega o le faʻamamāina o le aveese lea o mea faʻalaʻau, vaega, metals, ma isi mea o loʻo totoe i luga o le pito i luga o le silicon wafer pe a uma ona faʻamalo, ina ia mautinoa ai le mama o le silicon wafer surface ma faʻafetaui manaoga lelei o le faagasologa mulimuli ane.
O le su'ega mafolafola ma le resistivity e su'e le su'ega o le silicon wafer pe'a uma ona fa'alelei ma fa'amamāina ina ia mautinoa o le mafiafia, mafolafola, fa'apitonu'u fa'apitonu'u, curvature, warpage, resistivity, ma isi o le wafer silicon polesia fetaui ma manaoga o tagata fa'atau.
FA'ITAUINA PARTICLE o se faiga mo le su'esu'eina sa'o o le pito i luga o le wafer, ma fa'aletonu i luga ma le aofa'i e fuafua e ala i le fa'asalalauina o le laser.
O le EPI GROWING ose faiga mo le fa'atupuina o ata tioata ta'itasi silikoni maualuga i luga o fa'ama'i fa'ama'i fa'aola e ala i le tu'uina atu o vaila'au oona.
manatu fa'atatau:Epitaxial growth: e faasino i le tuputupu aʻe o se tioata tioata e tasi ma ni manaʻoga faʻapitoa ma le faʻataʻitaʻiga tioata tutusa e pei o le mea faʻapipiʻi i luga o se mea tioata (substrate), e pei lava o le tioata muamua e faʻalautele atu i fafo mo se vaega. O tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial na atiaʻe i le faaiuga o le 1950s ma le amataga o le 1960s. I lena taimi, ina ia mafai ai ona gaosia le tele o taimi ma le maualuga o masini, sa tatau ona faʻaitiitia le faʻaputuina o le faasologa o le aoina, ma sa manaʻomia le mea e tatalia ai le maualuga o le voltage ma le maualuga o le taimi nei, o lea na tatau ai ona tupu se manifinifi maualuga- epitaxial layer tetee i luga o se mea e maualalo le tetee. O le laulau tioata fou e tasi e tupu epitaxially e mafai ona ese mai le substrate i tulaga o le conductivity ituaiga, resistivity, ma isi, ma multi-layer tioata tasi o mafiafia eseese ma manaoga e mafai foi ona tupu, lea e matua faaleleia atili ai le fetuutuunai o mamanu masini ma le faatinoga o le masini.
O le afifiina o le afifiina o oloa faʻamaonia mulimuli.
Taimi meli: Nov-05-2024