Fa'atonuina ma fa'aliliu mea i luga ole Silicon Carbide Epitaxial Growth Mequipment

Silicon carbide (SiC) substrates o loʻo i ai le tele o faʻaletonu e taofia ai le faʻaogaina saʻo. Ina ia faia ni pusi pu'upu'u, e tatau ona fa'atupuina se ata tioata ta'itasi i luga o le SiC substrate e ala i se faiga epitaxial. O lenei ata e ta'ua o le epitaxial layer. Toeitiiti lava o masini SiC uma o loʻo maua i luga o mea epitaxial, ma mea maualuga le homoepitaxial SiC mea e fausia ai le faʻavae mo le atinaʻeina o masini SiC. O le faʻatinoga o mea epitaxial e fuafua saʻo ai le faʻatinoga o masini SiC.

O masini SiC maualuga i le taimi nei ma maualuga le faʻatuatuaina o loʻo tuʻuina atu manaʻoga faʻapitoa i luga o le morphology, faʻafitauli faʻaletonu, tutusa o le doping, ma le mafiafia o le tutusa.epitaxialmeafaitino. O le ausiaina o le tele-tele, maualalo-defect density, ma maualuga-tulaga SiC epitaxy ua avea ma mea taua mo le atinaʻeina o pisinisi SiC.

O le gaosia o le SiC epitaxy maualuga e fa'alagolago i faiga ma meafaigaluega. I le taimi nei, o le auala sili ona faʻaaogaina mo le SiC epitaxial tuputupu aʻe oFa'afitiga ausa Fa'ama'i (CVD).O le CVD e ofoina atu le pulea saʻo i luga o le mafiafia ata tifaga epitaxial ma le faʻaogaina o le doping, maualalo le maualuga o le faaletonu, faʻavave le tuputupu aʻe, ma le faʻatonuina o le faʻagasologa o gaioiga, ma avea ai ma tekonolosi faʻalagolago mo faʻatauga faʻapisinisi manuia.

SiC CVD epitaxye masani ona fa'aaogaina meafaigaluega CVD vevela po'o puipui mafanafana. O le maualuga o le maualuga o le vevela (1500-1700 ° C) faʻamautinoa le faʻaauauina o le 4H-SiC crystalline form. Faʻavae i luga o le sootaga i le va o le faʻaogaina o le kesi ma le substrate surface, o potu faʻaalia o nei faiga CVD e mafai ona faʻavasegaina i fausaga faʻalava ma luga.

O le lelei o ogaumu epitaxial SiC e masani lava ona faʻamasinoina i vaega e tolu: faʻatupulaia o le epitaxial (e aofia ai le mafiafia o le mafiafia, le tutusa o le doping, le faaletonu, ma le tuputupu aʻe), le faʻaogaina o le vevela o meafaigaluega (e aofia ai le vevela / faʻamafanafana fua, maualuga maualuga, ma le vevela tutusa. ), ma le taugofie (e aofia ai le tau o le iunite ma le gaosiga gafatia).

Eseesega i le va o le tolu ituaiga o SiC Epitaxial Growth ogaumu

1. Faiga o le CVD Fa'asaga i le puipui vevela:

-Vaega:E masani ona fa'aalia ai faiga fa'atupu tele-tele-tele e tasi-wafer e fa'aosoina e le fe'avea'i o le kasa, maua ai fua fa'atatau sili ona lelei.

-Fa'ata'ita'iga Fa'atusa:LPE's Pe1O6, e mafai ona fa'apipi'i/tu'u'u le uta i le 900°C. E lauiloa mo le maualuga o le tuputupu aʻe, pupuu o le epitaxial cycles, ma faifai pea i totonu o le wafer ma le faʻaogaina o le taʻavale.

-Fa'atinoga:Mo 4-6 inisi 4H-SiC epitaxial wafers ma mafiafia ≤30μm, e ausia i totonu-wafer mafiafia le tutusa ≤2%, doping fa'atonuga le tutusa ≤5%, maualuga tulaga faaletonu ≤1 cm-², ma leai se faaletonu. vaega i luga (2mm × 2mm sela) ≥90%.

-Gaosi Fale: Kamupani e pei o Jingsheng Mechatronics, CETC 48, North Huachuang, ma Nasset Intelligent ua latou atinaʻe tutusa masini epitaxial SiC e tasi-wafer faʻatasi ai ma le faʻalauteleina o le gaosiga.

2. Pa'u mafanafana Planetary CVD Systems:

-Vaega:Fa'aoga fa'avae fa'atulagaina o paneta mo le fa'atuputeleina o le tele-wafer i le fa'aputuga, fa'aleleia atili le lelei o galuega.

-Fa'atusa Fa'atusa:Aixtron's AIXG5WWC (8x150mm) ma le G10-SiC (9x150mm po'o le 6x200mm) fa'asologa.

-Fa'atinoga:Mo 6-inisi 4H-SiC epitaxial wafers ma mafiafia ≤10μm, e ausia va-wafer mafiafia vavaeesega ± 2.5%, intra-wafer mafiafia le tutusa 2%, inter-wafer doping fa'asa'o fa'atonuga ± 5%, ma totonu-wafer doping fa'atosina le tutusa <2%.

-Lu'itau:Fa'atapula'aina le vaetamaina i maketi i totonu o le atunu'u ona o le le lava o fa'amaumauga o le gaosiga o fa'aputuga, pa fa'atekinisi i le vevela ma le fa'atonutonuina o le fanua, ma fa'aauau su'esu'ega e aunoa ma se fa'atinoga tele.

3. Quasi-vevela-puipui Vertical CVD Systems:

- Fa'aaliga:Fa'aaoga fesoasoani fa'ainisinia i fafo mo le suiga o le substrate maualuga-saosaoa, fa'aitiitia le mafiafia o le tuaoi ma fa'aleleia le fua o le tuputupu a'e o le epitaxial, fa'atasi ai ma tulaga lelei i le puleaina o faaletonu.

- Fa'atusa Fa'atusa:Nuflare's single-wafer EPIREVOS6 ma EPIREVOS8.

-Fa'atinoga:Ausia fua faatatau tuputupu aʻe i luga ole 50μm/h, faʻaletonu mataʻutia pulea i lalo ole 0.1 cm-², ma totonu-wafer mafiafia ma doping faʻatonuga le tutusa o le 1% ma le 2.6%, faasologa.

-Atinae o Aiga:Kamupani e pei o Xingsandai ma Jingsheng Mechatronics ua mamanuina meafaigaluega tutusa ae e leʻi ausia le faʻaaogaina tele.

Aotelega

O ituaiga taʻitasi e tolu o le SiC epitaxial growth equipment e iai uiga maʻoti ma o loʻo nofoia vaega faʻapitoa maketi e faʻatatau i manaʻoga. O le CVD fa'alava vevela o lo'o ofoina atu fua o le tuputupu a'e vave ma paleni lelei ma le tutusa ae e maualalo le gaosiga o le gaosiga ona o le gaosiga o le wafer tasi. O le CVD paneta vevela vevela e matua faʻaleleia atili ai le gaosiga o le gaosiga ae o loʻo feagai ma luʻitau i le faʻatonutonuina o le tele-wafer. Quasi-hot-wall vertical CVD e sili i le puleaina o faaletonu ma le fausaga lavelave ma e manaʻomia ai le tausiga tele ma le poto masani faʻatino.

A'o fa'atuputeleina le alamanuia, o le fa'aleleia atili ma le fa'aleleia o nei masini fa'apipi'i o le a ta'ita'ia ai le fa'atupuina o fa'atonuga fa'amanino, fa'atino matafaioi taua i le fa'amalieina o fa'amatalaga wafer epitaxial eseese mo le mafiafia ma mana'oga fa'aletonu.

Tulaga lelei ma le le lelei o SiC Epitaxial Growth Furnace Eseese

Faatasi ai ma le faʻaauau pea o le atinaʻeina o alamanuia, o nei ituaiga meafaigaluega e tolu o le a oʻo i le faʻaleleia atili ma le faʻaleleia atili, e taʻitaʻia ai le faʻalauteleina o faʻasalalauga e fetaui ma faʻamatalaga wafer epitaxial mo le mafiafia ma manaʻoga faaletonu.