Sauniuniga auala o le masani TaC coated graphite vaega

VAEGA/1
CVD (Chemical Vapor Deposition) auala:
I le 900-2300℃, fa'aaoga TaCl₅ma le CnHm o le tantalum ma le kaponi puna, H₂ o le fa'aitiitiga o le ea, Ar₂as ave kasa, tali fa'aputuga ata. O le faʻapipiʻi saunia e faʻapipiʻi, toniga ma maualuga le mama. Ae ui i lea, o loʻo i ai nisi faʻafitauli e pei o le lavelave o le faagasologa, tau taugata, faigata le pulea o le ea ma le maualalo o le faʻaogaina.
VAEGA/2
Metotia slurry sintering:
O le slurry o loʻo i ai le carbon source, tantalum source, dispersant ma le fusifusia o loʻo faʻapipiʻiina i luga o le graphite ma faʻamago i le maualuga o le vevela pe a uma ona faʻamago. O le faʻapipiʻiina saunia e tupu aʻe e aunoa ma se faʻasologa masani, e maualalo le tau ma e talafeagai mo le gaosiga tele. O loʻo tumau pea le suʻesuʻeina ina ia ausia le toniga ma le faʻapipiʻiina atoa i luga o le graphite tele, faʻaumatia faʻaletonu lagolago ma faʻaleleia le malosi faʻapipiʻi.
VAEGA/3
Auala e sasaina ai le plasma:
O le pa'u o le TaC e fa'afefeteina e le plasma arc i le maualuga o le vevela, fa'atometi i matāua maualuga le vevela e ala i le va'alele televave, ma fa'asalaina i luga o le mea o le kalafi. E faigofie ona fai le oxide layer i lalo ole vacuum, ma e tele le faʻaaogaina o le malosi.

 

Ata . Fata wafer pe a uma ona fa'aoga i le GaN epitaxial grown MOCVD device (Veeco P75). O le isi i le agavale e ufiufi i le TaC ae o le isi i le taumatau e ufiufi i le SiC.

TaC ua ufiufivaega graphite e tatau ona foia

VAEGA/1
Malosi e fusifusia:
O le faʻalauteleina o le vevela ma isi mea faʻapitoa i le va o le TaC ma mea carbon e eseese, e maualalo le malosi o le faʻapipiʻiina, e faigata ona aloese mai taʻavale, pores ma faʻamaʻi vevela, ma o le ufiufi e faigofie ona paʻu i le siosiomaga moni o loʻo i ai le pala ma fa'asolosolo fa'aoso ma fa'amalo.
VAEGA/2
mama:
TaC fa'apipi'ie manaʻomia le mama ultra-maualuga e aloese ai mai le faʻaleagaina ma le faʻaleagaina i lalo o tulaga maualuga o le vevela, ma e manaʻomia ona malilie le tulaga o le anotusi ma le faʻavasegaina o le kaponi saoloto ma mea leaga i luga ma totonu o le ufiufi atoa.
VAEGA/3
Maumau:
O le maualuga o le vevela o le vevela ma le vailaʻau faʻamalosi e sili atu i le 2300 ℃ o faʻailoga sili ona taua e suʻe ai le mautu o le ufiufi. Pinholes, ta'e, tulimanu misi, ma tasi orientation saito tuaoi e faigofie e mafua ai kasa corrosive e ulu ma ulu i totonu o le graphite, e mafua ai le le manuia o le puipuiga o le ufiufi.
VAEGA/4
Tete'e fa'ama'i:
TaC e amata ona faʻamaʻiina i le Ta2O5 pe a oʻo i luga ole 500 ℃, ma o le faʻamaʻi faʻamaʻi faʻateleina faʻateleina i le faʻateleina o le vevela ma le faʻaogaina o le okesene. O le faʻamaʻiina o luga e amata mai i tuaoi o saito ma fatu laiti, ma faasolosolo malie ona fausia ni tioata koluma ma tioata malepelepe, e mafua ai le tele o va ma pu, ma faʻateleina le faʻaogaina o le okesene seia oʻo ina aveese le ufiufi. O le mea e maua mai i le oxide layer e le lelei le faʻafefe o le vevela ma lanu eseese i foliga vaaia.
VAEGA/5
Tulaga tutusa ma le talatala:
O le fa'asoa le tutusa o le pito i luga o le ufiufi e mafai ona o'o atu ai i le fa'alavelave fa'apitonu'u o le vevela, fa'ateleina le lamatiaga o le ta'e ma le spall. E le gata i lea, o le roughness i luga e aafia tonu ai le fegalegaleaiga i le va o le ufiufi ma le siosiomaga i fafo, ma o le maualuga tele o le roughness e faigofie ona taitai atu ai i le faateleina o feteʻenaʻiga ma le wafer ma le le tutusa o le vevela.
VAEGA/6
Tele o fatu:
Ole lapo'a o le saito tutusa e fesoasoani i le mautu o le ufiufi. Afai e laʻititi le saito, e le faʻapipiʻi le fusi, ma e faigofie ona faʻamaʻiina ma pala, e mafua ai le tele o vaʻa ma pu i le pito o le saito, lea e faʻaitiitia ai le puipuiga o le faʻaogaina o le ufiufi. Afai e lapopoa tele le saito, e fai lava si talatala, ma e faigofie ona pa'u ese le ufiufi ona o le mamafa o le vevela.