Silicon carbide (SiC)mea e iai le lelei o le lautele o le fusi, maualuga le vevela conductivity, maualuga tulaga malepelepe malosi fanua, ma le maualuga tumu eletise tafetafea saoasaoa, ua matua folafola i le fanua gaosiga semiconductor. SiC tioata tasi e masani ona gaosia e ala i le felauaiga ausa faaletino (PVT) auala. O laasaga faʻapitoa o lenei metotia e aofia ai le tuʻuina o le paʻu SiC i le pito i lalo o le graphite crucible ma tuʻu se tioata fatu SiC i le pito i luga o le ipu. Le graphiteu'ameae fa'avevela i le vevela o le SiC, ma mafua ai ona pala le pa'u o le SiC i vaega o le va'a pei ole Si vapor, Si2C, ma le SiC2. I lalo o le aafiaga o le gradient vevela axial, o nei vaporized mea sublimate i le pito i luga o le uʻamea ma condensed i luga o le mata o le tioata fatu SiC, crystallizing i tioata tasi SiC.
I le taimi nei, o le lautele o le tioata fatu o loʻo faʻaaogaina iSiC tupua tioata tasie mana'omia le fetaui ma le ta'amilosaga tioata fa'atatau. I le taimi o le tuputupu aʻe, o le tioata fatu e faʻapipiʻi i luga o le faʻamau fatu i le pito i luga o le faʻamau e faʻaaoga ai le faʻapipiʻi. Ae ui i lea, o lenei metotia o le faʻapipiʻiina o le tioata o fatu e mafai ona taʻitaʻia ai faʻafitauli e pei o le gaogao i totonu o le faʻapipiʻi faʻapipiʻi ona o mea e pei o le saʻo o le faʻamauina o fatu ma le tutusa o le faʻapipiʻi faʻapipiʻi, lea e mafai ona iʻu ai i le hexagonal void defects. O nei mea e aofia ai le faʻaleleia atili o le mafolafola o le graphite plate, faʻateleina le tutusa o le mafiafia o le faʻapipiʻi faʻapipiʻi, ma le faʻaopoopoina o se mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi. E ui lava i nei taumafaiga, o loʻo i ai pea faʻafitauli i le mamafa o le faʻapipiʻi faʻapipiʻi, ma o loʻo i ai se tulaga lamatia o fatu tioata tioata. E ala i le faʻaaogaina o le auala e faʻapipiʻi ai lewaferi le pepa graphite ma faʻapipiʻi i le pito i luga o le faʻamau, e mafai ona faʻaleleia le mamafa o le faʻapipiʻi, ma e mafai ona taofia le vavaeeseina o le wafer.
1. Fuafuaga Fa'ata'ita'i:
E maua fa'apisinisi le fa'a'ofu'ofu o lo'o fa'aaogaina i le su'ega6-inisi N-ituaiga SiC wafers. E fa'aogaina le Photoresist i le fa'aogaina o se mea fa'apipi'i. E maua le pipii i le fa'aaogaina o se ogaumu vevela fatu fatu e fa'atupuina.
1.1 Fua Fa'atonuga Fa'amauina Fa'ama'i:
I le taimi nei, o le SiC seed crystal adhesion schemes e mafai ona vaevaeina i ni vaega se lua: faʻapipiʻi ituaiga ma le faʻamalolo.
Ituaiga Fa'apipi'i (Ata 1): E aofia ai le fa'apipi'iina o leSiC waferi le ipu graphite ma se vaega o le pepa graphite e avea o se pa puipui e aveese va i le va oSiC waferma le ipu kalafi. I le gaosiga moni, o le malosi faʻapipiʻi i le va o le pepa graphite ma le graphite plate e vaivai, e oʻo atu ai i le faʻasolosolo o fatu tioata i le taimi o le tuputupu aʻe o le vevela maualuga, e mafua ai le le manuia o le tuputupu aʻe.
Fuafuaga Tulaga Fa'amalolo (Ata 2): E masani lava, o se ata kaponi mafiafia e faia i luga o le fa'apipi'i o le SiC wafer e fa'aaoga ai le kelu carbonization po'o auala faʻapipiʻi. O leSiC waferona pipii lea i le va o papatusi graphite e lua ma tuu i le pito i luga o le graphite crucible, faamautinoa le mautu ao puipuia e le ata kaponi le wafer. Ae ui i lea, o le fatuina o le carbon film e ala i le ufiufi e taugata ma e le talafeagai mo le gaosiga o fale gaosi oloa. O le kelu carbonization auala e maua ai le lelei o ata kaponi ata, e faigata ai ona maua se ata kaponi mafiafia atoatoa ma le pipii malosi. E le gata i lea, o le pipii o papatusi graphite e faʻaitiitia ai le lelei o le tuputupu aʻe o le wafer e ala i le polokaina o se vaega o lona pito.
E tusa ai ma polokalame e lua o loʻo i luga, o loʻo tuʻuina atu se polokalame faʻapipiʻi fou ma faʻapipiʻi (Ata 3):
O se ata fa'ato'a mafiafia o le kaponi e faia i luga o le fa'apipi'i o le siC wafer e fa'aaoga ai le kelu carbonization method, fa'amautinoa e leai se moli tele i lalo o le malamalama.
O le SiC wafer e ufiufi i le carbon film o loʻo faʻapipiʻiina i le pepa kalafi, ma o le faʻapipiʻi o le itu o le carbon film. O le mea fa'apipi'i e tatau ona foliga tutusa le uliuli i lalo o le malamalama.
O le pepa graphite o loʻo pipii i papatusi graphite ma faʻapipiʻi i luga aʻe o le graphite crucible mo le tuputupu aʻe tioata.
1.2 Fa'apipi'i:
O le viscosity o le photoresist e matua aʻafia ai le tutusa o le mafiafia o ata. I le saosaoa vili tutusa, o le viscosity maualalo e maua ai ata manifinifi ma sili atu le tutusa o le pipii. O le mea lea, o se photoresist maualalo-viscosity e filifilia i totonu o mana'oga talosaga.
I le taimi o le suʻega, na maua ai o le viscosity o le carbonizing adhesive e aʻafia ai le malosi faʻapipiʻi i le va o le carbon film ma le wafer. O le viscosity maualuga e faigata ai ona fa'aoga tutusa i le fa'aogaina o se mea fa'apipi'i, a'o le maualalo o le viscosity e mafua ai le vaivai o le malosi fa'apipi'i, e o'o atu ai i le ta'e o ata kaponi i le faagasologa o le fa'apipi'i mulimuli ane ona o le tafega pipii ma le mamafa mai fafo. E ala i suʻesuʻega faʻataʻitaʻiga, o le viscosity o le carbonizing adhesive na faʻamoemoeina e 100 mPa·s, ma faʻapipiʻi le viscosity faʻapipiʻi i le 25 mPa·s.
1.3 Vacuum galue:
O le faagasologa o le fatuina o le ata kaponi i luga o le SiC wafer e aofia ai le faʻapalapalaina o le mea faʻapipiʻi i luga o le SiC wafer surface, lea e tatau ona faia i se vacuum poʻo le argon-puipuia siosiomaga. O fa'ai'uga fa'ata'ita'iga o lo'o fa'aalia ai o le si'osi'omaga e puipuia e argon e sili atu ona fa'atupuina ata ata kaponi nai lo se si'osi'omaga gaogao maualuga. Afai e fa'aogaina se si'osi'omaga gaogao, e tatau ona ≤1 Pa le maualuga ole vacuum.
O le fa'agasologa o le fa'apipi'iina o le tioata o fatu SiC e aofia ai le fa'apipi'iina o le siC wafer i le pepa graphite/graphite. Mafaufau i le aafiaga erosive o le okesene i luga o mea graphite i le vevela maualuga, o lenei faagasologa e tatau ona faia i lalo o tulaga gaogao. Sa su'esu'eina le a'afiaga o tulaga vacuum eseese i luga o le fa'apipi'i. O faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga o loʻo faʻaalia i le Laulau 1. E mafai ona vaʻaia i lalo o tulaga faʻamama maualalo, o mole okesene i le ea e leʻo faʻaumatia atoa, e oʻo atu ai i faʻamau faʻapipiʻi le atoatoa. A oʻo i lalo ole 10 Pa le maualuga ole vacuum, o le aʻafiaga o le okesene mole okesene i luga o le mea faʻapipiʻi e matua faʻaitiitia. A o'o i lalo ole 1 Pa le maualuga ole vacuum, ole a'afiaga erosive e fa'aumatia atoa.
Taimi meli: Iuni-11-2024