Tasi Folasaga
Etching i totonu o le faagasologa o le gaosiga o le gaosiga faʻatasi ua vaevaeina i:
-Visi susu;
-Visi mago.
I le amataga o aso, etching susu sa masani ona faaaoga, ae ona o ona tapulaa i le laina lautele pulea ma etching directionality, o le tele o faagasologa ina ua uma 3μm faaaogaina etching mago. E na'o le fa'aaogaina o le susū e aveese ai ni fa'amea fa'apitoa ma toega mama.
Etching mago e faasino i le faagasologa o le faaaogaina etchants kemikolo kasa e tali atu i mea i luga o le wafer e etch ese le vaega o le mea e aveese ma fausia ai mea e tali atu volatile, lea e aveesea mai le potu tali. O le etchant e masani ona gaosia tuusao pe le tuusao mai le plasma o le kesi etching, o lea e taʻua ai le etching mago o le plasma etching.
1.1 Plasma
O le Plasma o se kasa i se tulaga vaivai le ionized e fausia e ala i le susulu susulu o le kasa etching i lalo o le gaioiga a se eletise eletise fafo (e pei o le gaosia e ala i luga ole eletise eletise). E aofia ai electrons, ions ma vaega e le galulue malosi. Faatasi ai ma i latou, e mafai ona tali saʻo mea faʻainisinia ma mea etched e ausia ai le etching, ae o lenei faʻamaʻi mama mama e masani lava ona tupu i se numera itiiti lava o mea ma e le o faʻatonuina; pe a maua e le ion se malosi faapitoa, e mafai ona etched e ala i sputtering faaletino tuusao, ae o le fua faatatau etching o lenei tali faaletino mama e matua maualalo ma le filifilia e matua matitiva.
O le tele o le etching plasma e fa'amae'aina ma le auai o vaega toaga ma ions i le taimi e tasi. I lenei faagasologa, o le pomu ion e lua galuega. O le tasi o le fa'aumatiaina lea o noataga atomika i luga o le mea o lo'o togitogia, ma fa'ateleina ai le saosaoa e tali atu ai ni vaega e le tutusa; o le isi o le tuʻituʻi ese oloa tali na teuina i luga o le tali tali e faafaigofie ai le etchant e faʻafesoʻotaʻi atoatoa le pito i luga o le mea etched, ina ia faʻaauau pea le etching.
O mea fa'afofoga o lo'o tu'u i luga o puipui o le fausaga o lo'o togitogia e le mafai ona 'ave'esea lelei e ala i le fa'ao'oina o le ion, ma taofia ai le togitogiina o puipui i autafa ma fausia ai le etching anisotropic.
Fa'agasologa lona lua etching
2.1 Susū Susū ma Fa'amamā
Etching susu o se tasi lea o tekonolosi muamua na faʻaaogaina i le gaosiga faʻatasi. E ui lava o le tele o faiga etching susu ua suia i le anisotropic dry etching ona o lona isotropic etching, o loʻo i ai pea se sao taua i le faʻamamāina o papa e le taua o lapopoa tetele. Aemaise lava i le togitogiina o toega o le oxide ma le epidermal stripping, e sili atu le aoga ma le taugofie nai lo etching mago.
O mea o lo'o fa'asusu susū e masani lava ona aofia ai le silicon oxide, silicon nitride, one crystal silicon ma polycrystalline silicon. E masani ona fa'aogaina le susū susū o le silicon oxide (HF) e fai ma vaila'au autu. Ina ia faʻaleleia atili le filifilia, faʻafefeteina hydrofluoric acid buffered e ammonium fluoride e faʻaaogaina i le faagasologa. Ina ia faʻamautinoa le mautu o le tau o le pH, e mafai ona faʻaopoopoina se vaega itiiti o le malosi malosi poʻo isi elemene. E sili atu le faigofie ona pala nai lo le silicon oxide mama. E masani ona fa'aaogaina le fa'a'ese'ese o vaila'au susu e aveese ai le photoresist ma le ufimata malo (silicon nitride). O le vevela phosphoric acid (H3PO4) o le vailaʻau autu o loʻo faʻaaogaina mo le suʻeina o vailaʻau susu e aveese ai le nitride silicon, ma e iai se filifiliga lelei mo le silicon oxide.
O le fa'amama susu e tutusa ma le susū etching, ma e masani lava ona aveese mea filogia i luga o luga o le silicon wafers e ala i vailaʻau faʻamaʻi, e aofia ai vaega, mea faʻaola, metals ma oxides. Ole fa'amama fa'asusu fa'asusu ole auala kemikolo susu. E ui lava e mafai e le faamamaina mamago ona suia le tele o auala faʻamama susu, e leai se auala e mafai ona suia atoa ai le fufulu susu.
O vailaʻau masani e faʻaaogaina mo le faamamaina susu e aofia ai le sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, ammonium fluoride, ma isi. faia se vaifofo faamama, e pei o SC1, SC2, DHF, BHF, ma isi.
O le fa'amama e masani ona fa'aaogaina i le fa'agasologa a'o le'i fa'apipi'iina ata o le oxide, ona o le tapenaga o le oxide film e tatau ona fa'atinoina i luga o se fa'amama silicon wafer surface. O le fa'amama fa'amama fa'ama'i fa'ama'i silikoni masani e fa'apea:
2.2 Uiga mago and Fa'amamaina
2.2.1 Uiga mago
Fa'amamago etching i totonu o pisinisi e masani lava ona faasino i le plasma etching, lea e faʻaogaina ai le plasma faʻatasi ai ma le faʻaleleia o gaioiga e togi ai mea faʻapitoa. O le faʻaogaina o meafaigaluega i faʻagasologa o gaosiga tetele e faʻaaogaina ai le plasma maualalo ole vevela ole paleni.
E masani ona fa'aogaina e le fa'apalapala le fa'aogaina o auala fa'alele e lua: fa'aulu fa'atasi ma fa'aulu fa'atasi.
I le capacitively combed discharge mode: plasma e gaosia ma tausia i ni capacitors plate tutusa e lua e ala i fafo ole alaleo eletise (RF). O le mamafa o le kesi e masani lava ona tele militorr i le fiasefulu militorr, ma o le fua fa'aitotonu e itiiti ifo i le 10-5. I le fa'aogaina fa'apipi'i fa'a'ave'esea: e masani lava i le maualalo o le kesi mamafa (sefulu militorr), o le plasma e fa'atupuina ma tausia e ala i le fa'aogaina fa'aulu fa'atasi. Ole fua ole ionization e masani ona sili atu nai lo le 10-5, o lea e taʻua ai foi le plasma maualuga. E mafai fo'i ona maua fa'apogai plasma maualuga e ala i le fa'aeletonika o le cyclotron resonance ma le fa'asa'oina o galu o le cyclotron. O le plasma maualuga e mafai ona faʻamalieina le fua o le etching ma le filifilia o le faʻagasologa o le etching aʻo faʻaitiitia le faʻaleagaina o le etching e ala i le pulea tutoatasi o le tafe o le ion ma le malosi o le pomu o le ion e ala i le RF fafo poʻo le microwave power supply ma le RF bias power supply i luga o le substrate.
O le faiga etching mago e faapea: o le kesi etching ua tui i totonu o le potu tali gaogao, ma ina ua uma le mamafa i totonu o le potu tali ua faamautu, o le plasma ua gaosia e ala i leitio alu alu alu; pe a uma ona a'afia e le tele-saosaoa electrons, e decomposes e maua ai radicals saoloto, lea diffuse i luga o le substrate ma adsorbed. I lalo o le gaioiga o le osofaʻi o le ion, e faʻafefe ai radical free adsorbed ma atoms poʻo molelaʻau i luga o le mea e fai ai mea e gaosia ai kesi, lea e faʻateʻa mai le potu tali. O le faagasologa o loʻo faʻaalia i le ata o loʻo i lalo:
E mafai ona vaevaeina faiga etching mago i vaega nei e fa:
(1)Fa'agata fa'aletino: E fa'alagolago tele i ions malosi i totonu o le plasma e fa'aolaina ai luga o le mea ua togitogia. Ole numera o atoms e fa'aoso e fa'alagolago ile malosi ma le angle o mea na tutupu. Pe a tumau le malosi ma le tulimanu e le suia, o le sputtering fua faatatau o mea eseese e masani ona ese i le na o le 2 i le 3 taimi, o lea e leai se filifiliga. Ole fa'agaioiga ole fa'agaioiga e masani lava ole anisotropic.
(2)togitogiina o vaila'au: O le Plasma e maua ai atomu ma mole mole o le kasa-vase etching, e gaoioi fa'ama'i ma luga ole mea e maua ai kasa fe'avea'i. O lenei tali fa'ama'i mama e lelei le filifilia ma fa'aalia uiga isotropic e aunoa ma le mafaufau i le fausaga lattice.
Mo se faʻataʻitaʻiga: Si (malosi) + 4F → SiF4 (kasa), photoresist + O (kasa) → CO2 (kasa) + H2O (kasa)
(3)Malosi o le ion etching: O ion o ni vaega e lua e mafua ai le etching ma le malosi-aveina vaega. E sili atu ma le tasi le fa'atonuga o le tele o le togitogiga o ia mea e ave ai le malosi e sili atu nai lo le fa'aogaina faigofie fa'aletino po'o vaila'au. Faatasi ai ma i latou, o le faʻaogaina o mea faʻapitoa ma vailaʻau o le faʻagasologa o le autu lea o le faʻatonutonuina o le faiga o le etching.
(4)Ion-barrier composite etching: E fa'atatau i le fa'atupuina o se pa puipui polymer e ala i vaega tu'ufa'atasi i le faagasologa o le etching. E mana'omia e le Plasma se mea e puipuia ai e puipuia ai le fa'aogaina o puipui i autafa i le taimi o le etching. Mo se fa'ata'ita'iga, o le fa'aopoopoina o le C i le Cl ma le Cl2 etching e mafai ona maua ai se chlorocarbon fa'apipi'i vaega i le taimi e togi ai e puipui ai puipui i autafa mai le togitogiina.
2.2.1 Fa'amamago
Fa'amamago fa'amama e fa'atatau ile fa'amama plasma. O ion i totonu o le plasma e faʻaaogaina e pomu ai luga e faʻamamāina, ma o atoms ma molelaʻau i le tulaga faʻagaoioia e fegalegaleai ma le luga e faʻamamāina, ina ia aveese ma lefulefu le photoresist. E le pei o le etching mago, o le faagasologa o le fa'amamago e masani lava ona le aofia ai le filifilia o le itu, o lea e faigofie lava le mamanu o le faagasologa. I le tele o gaioiga gaosiga, o kasa faʻavae fluorine, okesene poʻo le hydrogen e masani ona faʻaaogaina e avea ma tino autu o le plasma tali. E le gata i lea, o le faʻaopoopoina o se aofaʻi o argon plasma e mafai ona faʻaleleia ai le aafiaga o le pomu, ma faʻaleleia atili ai le faʻamamaina lelei.
I le fa'amama mamago o le plasma, e masani ona fa'aaogaina le auala plasma mamao. E mafua ona o le faʻamamaina o le faʻagasologa, e faʻamoemoe e faʻaitiitia le faʻalavelave faʻafuaseʻi o ions i totonu o le plasma e pulea ai le faʻaleagaina e mafua mai i le faʻalavelave faʻafuaseʻi; ma o le faʻaleleia atili o le faʻaogaina o vailaʻau saoloto e mafai ona faʻaleleia le faʻamamaina lelei. O le plasma mamao e mafai ona faʻaogaina microwave e faʻatupu ai se plasma mautu ma maualuga i fafo atu o le potu tali, faʻatupuina le tele o radical free e ulu atu i le potu tali e ausia ai le tali e manaʻomia mo le faʻamamaina. Ole tele ole kasa fa'amama mamago i totonu ole alamanuia e fa'aogaina kasa fa'avae fluorine, pei ole NF3, ma e sili atu i le 99% ole NF3 o lo'o pala ile microwave plasma. E toetoe lava a leai se aafiaga o le pomu ion i le faagasologa o le faamamaina mamago, o lea e aoga ai le puipuia o le wafer silicon mai le faaleagaina ma faʻalauteleina le ola o le potu tali.
Tolu susu susū ma fa'amamā mea faigaluega
3.1 Tank-ituaiga masini fufulu wafer
O le masini fa'amama fa'amama e masani lava ona fa'apipi'iina i luma o le fa'amomoli fa'amomoli fa'amomoli fa'apipi'i fa'apipi'i, o le fa'amomoli fa'apipi'iina/tu'u'ese le fa'amomoli, o le fa'aogaina o le ea fa'avevela, o le tane vai vaila'au, o le tane vai fa'amago, o le tane fa'amago. module ma se module pulea. E mafai ona fa'amama le tele o atigipusa o fafie i le taimi e tasi ma e mafai ona fa'amamago-i totonu ma fa'amamago-out of wafers.
3.2 Alavai Wafer Etcher
3.3 Meafaigaluega Fa'asolo Susū Tasi Tasi
E tusa ai ma faʻamoemoega faʻagasologa eseese, e mafai ona vaevaeina meafaigaluega faʻasolosolo susu tasi i ni vaega se tolu. O le vaega muamua o masini fa'amama e tasi, o latou fa'amama fa'amoemoe e aofia ai vaega, mea fa'aola, fa'afu o le oxide fa'alenatura, fa'amama u'amea ma isi mea leaga; o le vaega lona lua o se masini fufulu mama e tasi, o lona faʻamoemoe autu o le aveese lea o vaega o loʻo i luga o le papa; o le vaega lona tolu o masini etching wafer tasi, lea e masani ona faaaoga e aveese ata manifinifi. E tusa ai ma faamoemoega eseese faagasologa, e mafai ona vaevaeina meafaigaluega etching wafer tasi i ni ituaiga se lua. O le ituaiga muamua o masini etching malu, lea e masani ona faʻaaogaina e aveese ai luga o ata tifaga faʻaleagaina layers mafua mai i le implantation maualuga-malosi; o le ituaiga lona lua o meafaigaluega e aveese ai le taulaga, lea e masani ona faʻaaogaina e aveese ai pa puipui pe a uma le faʻamaʻi faʻamaʻi poʻo le faʻamalo faʻainisinia.
Mai le vaaiga o le fausaga atoa o masini, o le fausaga faavae o ituaiga uma o masini e tasi-wafer susu faagasologa e tutusa, e masani ona aofia ai vaega e ono: faavaa autu, faiga fesiitaiga, potu module, kemisi vai sapalai ma fesiitaiga module, polokalama polokalama. ma fa'aeletonika fa'atonu module.
3.4 Meafaigaluega Fa'amama Tasi Tasi
O le masini fufulu mama e tasi ua mamanuina e faʻavae i luga o le auala masani faʻamama RCA, ma o lona faʻamoemoega o le faʻamamaina o vaega, mea faʻalaʻau, faʻamaʻi oxide natura, faʻamaʻi uʻamea ma isi mea filogia. E tusa ai ma le faagasologa o le faʻaaogaina, o loʻo faʻaaogaina nei meafaigaluega faʻamama mama e tasi i le pito i luma ma le pito i tua o le gaosiga o le gaosiga faʻatasi, e aofia ai le faʻamamaina aʻo leʻi maeʻa ma le maeʻa o ata, faʻamamā pe a maeʻa plasma etching, faʻamamā pe a uma le faʻapipiʻiina o ion, faʻamamaina pe a uma vailaʻau. fa'alelei fa'ainisinia, ma le fa'amamāina pe a uma ona tu'u u'amea. Vagana ai mo le maualuga-vevela phosphoric acid faagasologa, tasi masini fufulu mama e matua fetaui lelei ma faiga faamama uma.
3.5 Meafaigaluega Fa'asa'o Fa'atosina Tasi
O le faʻamoemoega o le faʻaogaina o masini etching e tasi e masani lava o le etching ata tifaga manifinifi. E tusa ai ma le faʻamoemoega o le faagasologa, e mafai ona vaevaeina i ni vaega se lua, e pei o, meafaigaluega etching malamalama (faʻaaogaina e aveese ai le lapisi faʻaleagaina o ata tifaga e mafua mai i le faʻapipiʻiina o le ion i luga o le malosi) ma meafaigaluega e aveese ai le taulaga (faʻaaogaina e aveese ai le pa puipui pe a uma le wafer. manifinifi po'o fa'amalama fa'ainisinia). O mea e mana'omia ona ave'ese i le fa'agasologa e masani ona aofia ai le silicon, silicon oxide, silicon nitride ma u'amea ata.
E fa'amamago ma fa'amama mea faigaluega
4.1 Fa'avasegaina o masini etching plasma
I le faaopoopo atu i le ion sputtering etching meafaigaluega e latalata i le mama mama ma le degumming meafaigaluega e latalata i mama mama, etching plasma e mafai ona vaevaeina i ni vaega se lua e tusa ai ma le gaosiga o plasma eseese ma tekinolosi pulea:
-Capacitively Coupled Plasma (CCP) etching;
- Inductively Coupled Plasma (ICP) etching.
4.1.1 CCP
O le fa'aogaina o le plasma etching o le fa'afeso'ota'i lea o le eletise alaleo i le tasi po'o le lua o le pito i luga ma le pito i lalo i totonu o le potu tali, ma o le plasma i le va o papatusi e lua e fausia ai se capacitor i se taamilosaga tutusa faigofie.
E lua ituaiga tekonolosi muamua:
O le tasi o le vave etching plasma, lea e faʻafesoʻotaʻi le eletise RF i le eletise pito i luga ma le eletise pito i lalo o loʻo i ai le wafer e faʻavae. Talu ai ona o le plasma e gaosia i lenei auala o le a le fausia ai se faʻaofuofu ion e lava le mafiafia i luga o le papa, o le malosi o le pomu o le ion e maualalo, ma e masani ona faʻaaogaina i faiga e pei o le etching silicon lea e faʻaogaina ai vaega malosi e fai ma etchant autu.
O le isi o le early reactive ion etching (RIE), lea e faʻafesoʻotaʻi ai le eletise RF i le eletise pito i lalo o loʻo i ai le wafer, ma faʻamauina le eletise pito i luga ma se vaega tele. O lenei tekinolosi e mafai ona fausia ai se atigi ion mafiafia, lea e talafeagai mo faiga etching dielectric e manaomia ai le malosi ion maualuga e auai i le tali. I luga o le faʻavae o le vave faʻaogaina o le ion etching, o le DC maneta e faʻatatau i le RF eletise eletise ua faʻaopoopoina e fausia ai le ExB drift, lea e mafai ona faʻateleina le avanoa faʻafefe o electrons ma kesi, ma faʻaleleia lelei ai le plasma concentration ma le fua o le etching. O lenei togitogiga e ta'ua o le maneta ua fa'aleleia le fa'a'ono'o fa'afoliga (MERIE).
O tekinolosi e tolu o loʻo i luga o loʻo i ai se faʻaletonu masani, o lona uiga, o le plasma concentration ma lona malosi e le mafai ona pulea faʻapitoa. Mo se faʻataʻitaʻiga, ina ia faʻateleina le fua faʻatatau, o le auala e faʻateleina ai le malosi o le RF e mafai ona faʻaaogaina e faʻateleina ai le faʻaogaina o le plasma, ae o le faʻateleina o le malosi o le RF e mautinoa lava e taʻitaʻia ai le faateleina o le malosi o le ion, lea o le a mafua ai le faaleagaina o masini i luga. o le wafer. I le sefulu tausaga ua tuanaʻi, ua faʻaaogaina e le tekonolosi fesoʻotaʻiga capacitive se mamanu o le tele o punaoa RF, lea e fesoʻotaʻi atu i le pito i luga ma lalo o le eletise poʻo le lua i le pito i lalo.
E ala i le filifilia ma faʻafetaui laina RF eseese, o le eletise eletise, avanoa, meafaitino ma isi mea taua e faʻamaopoopoina le tasi ma le isi, o le plasma concentration ma le malosi o le ion e mafai ona faʻamavaeina i le tele e mafai ai.
4.1.2 ICP
O le fa'aogaina o le plasma etching o le tu'u lea o se seti po'o le sili atu o coils e fa'afeso'ota'i i le eletise alaleo i luga po'o tafatafa o le potu tali. O le fa'aliliuina o le maneta e fa'atupuina e alaleo alaleo o lo'o i totonu o le coil e ulufale atu i le potu tali e ala i le fa'amalama dielectric e fa'avave ai le eletise, ma fa'atupuina ai le plasma. I totonu o se faʻataʻitaʻiga tutusa faʻafaigofie (transformer), o le coil o le faʻaogaina muamua o le viliina, ma o le plasma o le inductance lona lua.
O lenei auala faʻafesoʻotaʻi e mafai ona ausia se plasma concentration e sili atu ma le tasi le faʻatonuga o le maualuga maualuga atu nai lo le faʻaogaina o le capacitive i le maualalo o le mamafa. E le gata i lea, o le eletise lona lua o le RF e fesoʻotaʻi atu i le nofoaga o le wafer e avea o se mana faʻaituau e maua ai le malosi o le pomu. O le mea lea, o le faʻaogaina o le ion e faʻalagolago i le faʻaogaina o le mana o le coil ma le malosi o le ion e faʻalagolago i le tuʻuina atu o le mana faʻaituau, ma maua ai se faʻamavaeina maeʻaeʻa o le faʻatonuga ma le malosi.
4.2 Meafaigaluega Etching Plasma
Toeitiiti lava o mea uma e fa'amamago e maua sa'o pe leai foi mai le plasma, o le mea lea e masani ona ta'ua o le etching plasma. Plasma etching o se ituaiga o plasma etching i se uiga lautele. I totonu o le lua muamua mafolafola reactor mamanu, tasi o le eleele le ipu o loo i ai le wafer ma le isi ipu e fesootai i le puna RF; o le isi o le faafeagai. I le mamanu muamua, o le vaega o le ipu eleele e masani ona sili atu nai lo le vaega o le ipu e fesoʻotaʻi ma le puna RF, ma o le mamafa o le kesi i totonu o le reactor e maualuga. O le atigi ion ua faia i luga o le pito i luga o le wafer e matua manifinifi, ma o le wafer e foliga mai o le "faatofuina" i le plasma. E masani ona fa'amae'aina e le fa'ama'i fa'ama'i i le va o vaega o lo'o galue i totonu ole plasma ma le pito i luga ole mea ua togitogia. O le malosi o le pomu ion e matua itiiti lava, ma o lona auai i le togitogiina e matua maualalo lava. O lenei mamanu e taʻua o le plasma etching mode. I se isi mamanu, ona o le tikeri o le auai o le pomu ion e fai si tele, ua taʻua o le reactive ion etching mode.
4.3 Meafaigaluega Etching Ion Reactive
Reactive ion etching (RIE) e faasino i se faiga etching lea e auai vaega toaga ma ion molia i le faagasologa i le taimi e tasi. Faatasi ai ma i latou, o vaega faʻamalosi e masani lava o vaega le mautonu (faʻapitoa foi o radical free), faʻatasi ai ma le maualuga maualuga (pe a ma le 1% i le 10% o le faʻaogaina o le kesi), o vaega autu ia o le etchant. O oloa e gaosia e le fa'a'a'ai fa'ama'i i le va o i latou ma mea ua togitogia a le o le fa'afefeteina ma aveese sa'o mai le potu tali, po'o le fa'aputuina i luga o le mata ua togitogia; aʻo ion ua molia o loʻo i ai i se faʻasalaga maualalo (10-4 i le 10-3 o le faʻaogaina o le kesi), ma e faʻavaveina e le eletise eletise o le faʻaputu o le ion ua faia i luga o le pito i luga o le wafer e pomu ai luga o le etched. E lua galuega fa'atino a vaega o lo'o molia. O le tasi o le fa'aumatiaina lea o le fausaga atomika o mea ua togitogia, ma fa'atelevaveina ai le saosaoa o lo'o fa'agaoioi ai vaega; o le isi o le pomu ma aveese oloa tali faaputuputu ina ia o le etched mea e fesootai atoatoa ma vaega toaga, ina ia faaauau pea le etching.
Ona o ion e le auai tuusao i le tali etching (po o le tala mo se vaega itiiti lava, e pei o le aveesea pomu faaletino ma etching chemical tuusao o ions galue), matua tautala, o le faagasologa etching i luga e tatau ona taʻua ion-fesoasoani etching. O le igoa reactive ion etching e le sa'o, ae o lo'o fa'aaoga pea i aso nei. O meafaigaluega muamua a le RIE na faʻaaogaina i le 1980s. Ona o le faʻaogaina o le eletise RF e tasi ma se faʻataʻitaʻiga faigofie o le potu tali, e iai tapulaʻa i tulaga o le etching rate, tutusa ma le filifilia.
4.4 Fa'agata Fa'amaneta Fa'aleleia Mea Fa'asao Ion Reactive
O le masini MERIE (Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching) o se masini etching lea e fausia e ala i le faʻaopoopoina o le DC magnetic field i se masini RIE mafolafola ma ua faʻamoemoe e faʻateleina le fua o le etching.
MERIE meafaigaluega na faʻaaogaina i luga o se fua tele i le 1990s, ina ua avea meafaigaluega etching tasi-wafer ma meafaigaluega autu i le alamanuia. O le mea sili ona le lelei o meafaigaluega a le MERIE o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le plasma e mafua mai i le mageta o le a taʻitaʻia ai le eseesega o le taimi nei poʻo le voltage i totonu o le masini eletise tuʻufaʻatasia, ma mafua ai ona faʻaleagaina le masini. Talu ai ona o lenei faʻaleagaina e mafua mai i le le atoatoa, e le mafai e le taamilosaga o le maneta ona faʻaumatia. Aʻo faʻaauau pea ona faʻaitiitia le tele o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia, o loʻo faʻatuputeleina le faʻaleagaina o latou masini i le plasma inhomogeneity, ma o le tekonolosi o le faʻateleina o le fua faʻatatau e ala i le faʻaleleia o le mageta ua faasolosolo malie lava ona suia e le tele-RF power supply planar reactive ion etching technology, lea. o, capacitively fesoʻotaʻi plasma etching tekinolosi.
4.5 Mea faigaluega etching plasma fa'apipi'i malosi
capacitively coupled plasma (CCP) etching equipment o se masini e gaosia ai le plasma i totonu o se potu tali e ala i le capacitive coupling e ala i le faʻaogaina o le eletise eletise (poʻo le DC) i le ipu eletise ma faʻaaogaina mo le togiina. O lona faiga etching e tutusa ma le reactive ion etching meafaigaluega.
O lo'o fa'aalia i lalo le fa'ata'ita'iga fa'afaigofie o le masini etching CCP. E masani ona faʻaogaina le lua pe tolu RF punaʻoa o laina eseese, ma o nisi foi e faʻaaogaina le eletise DC. Ole tele ole eletise ole RF ole 800kHz ~ 162MHz, ma o le faʻaaogaina masani o 2MHz, 4MHz, 13MHz, 27MHz, 40MHz ma 60MHz. O sapalai eletise RF i le taimi ole 2MHz poʻo le 4MHz e masani ona taʻua o punaoa RF maualalo. E masani ona feso'ota'i i le eletise pito i lalo o lo'o i ai le wafer. E sili atu le lelei i le puleaina o le malosi o le ion, o lea e taʻua ai foi le sapalai eletise; O sapalai eletise RF e iai taimi i luga aʻe o le 27MHz e taʻua o punaoa RF maualuga. E mafai ona faʻafesoʻotaʻi i le pito i luga poʻo le pito i lalo. E sili atu le aoga i le puleaina o le plasma concentration, o lea e taʻua ai foʻi le puna eletise. O le eletise 13MHz RF o loʻo i le ogatotonu ma e masani ona faʻapea o loʻo i ai uma galuega o loʻo i luga ae e sili atu ona vaivai. Manatua e ui lava o le plasma concentration ma le malosi e mafai ona fetuunai i totonu o se vaega patino e ala i le mana o punaoa RF o laina eseese (o le mea e taʻua o le decoupling effect), ona o uiga o le soʻotaga capacitive, e le mafai ona fetuunai ma pulea atoatoa tutoatasi.
O le tufatufaina atu o le malosi o ion ei ai se aafiaga taua i le auiliiliga o le faatinoga o le etching ma le faaleagaina o masini, o lea o le atinaeina o tekinolosi e optimize le tufatufaina o le malosi ua avea ma se tasi o vaega autu o meafaigaluega etching alualu i luma. I le taimi nei, o tekinolosi ua faʻaaogaina ma le manuia i le gaosiga e aofia ai le tele-RF hybrid drive, DC superposition, RF tuʻufaʻatasia ma le DC pulse bias, ma synchronous pulsed RF output of bias power supply and source power supply.
O meafaigaluega etching CCP o se tasi lea o ituaiga e lua e sili ona faʻaaogaina masini etching plasma. E masani ona faʻaaogaina i le faʻagasologa o le faʻaogaina o mea dielectric, e pei o le puipui puipui puipui ma le faʻamaʻaʻaina o le ufimata malosi i le pito i luma o le faʻaogaina o le vaʻavaʻa, faʻafesoʻotaʻi pu i le ogatotonu, mosaic ma alumini pad etching i le pito i tua, faʻapea foʻi ma togiina o lua loloto, pu loloto ma pu e feso'ota'i ai uaea ile faiga 3D flash memory chip (fa'aa'oa'oga le fausaga o le nitride/silicon oxide e fai ma fa'ata'ita'iga).
E lua lu'itau autu ma le fa'aleleia o fa'atonuga o lo'o feagai ma meafaigaluega etching CCP. Muamua, i le faʻaaogaina o le malosi o le ion maualuga, o le gafatia o le faʻaogaina o fausaga maualuga maualuga (e pei o le pu ma le tootoo o le 3D flash memory e manaʻomia ai se fua faatatau maualuga atu nai lo le 50:1). O le auala o loʻo iai nei o le faʻateleina o le mana faʻaituau e faʻateleina ai le malosi o le ion ua faʻaogaina ai le eletise RF e oʻo atu i le 10,000 watts. I le va'aia o le tele o le vevela e fa'atupuina, e mana'omia le fa'aleleia atili o le fa'amalo ma le vevela o tekonolosi o le potu tali. Lona lua, e tatau ona i ai se faʻalavelave i le atinaʻeina o kasa etching fou e foʻia ai le faʻafitauli o le gafatia etching.
4.6 Meafaigaluega Faʻapipiʻi Faʻatasi ma le Plasma Etching
Inductively coupled plasma (ICP) etching equipment o se masini e fa'apipi'i ai le malosi o le alaleo alaleo eletise i totonu o se potu tali i foliga o se maneta e ala i le inductor coil, ma fa'atupuina ai le plasma mo le togiina. O lona mataupu faavae e faatatau foi i le etching ion reactive lautele.
E lua ituaiga autu o mamanu puna plasma mo meafaigaluega etching ICP. O le tasi o le transformer coupled plasma (TCP) tekinolosi na fausia ma gaosia e Lam Research. O lona inductor coil o loʻo tuʻuina i luga o le vaalele faʻamalama dielectric i luga aʻe o le potu tali. O le faailo 13.56MHz RF e fa'atupuina ai se maneta fa'asolo i totonu o le u'amea e fa'atatau i le fa'amalama dielectric ma fa'asolosolo fa'atasi ma le axis coil e fai ma totonugalemu.
O le fanua mageta e ulu atu i le potu tali e ala i le faamalama dielectric, ma o le alternating maneta e maua ai se eletise eletise e tutusa ma le faamalama dielectric i le potu tali, ma ausia ai le dissociation o le kesi etching ma gaosia plasma. Talu ai o lenei mataupu faavae e mafai ona malamalama o se transformer ma se inductor coil e pei o le vili muamua ma le plasma i le potu tali e pei o le vili lona lua, ICP etching ua faaigoa i lenei mea.
O le aoga autu o tekinolosi TCP o le fausaga e faigofie ona faʻaleleia. Mo se faʻataʻitaʻiga, mai le 200mm wafer i le 300mm wafer, e mafai e le TCP ona faʻatumauina le aʻafiaga tutusa e ala i le faʻateleina o le tele o le vili.
O le isi mamanu puna puna plasma o le decoupled plasma source (DPS) tekinolosi ua atiae ma gaosia e Applied Materials, Inc. o le Iunaite Setete. O lona inductor coil e tolu-dimensional manu'a i luga o se faamalama dielectric hemispherical. O le faʻavae o le gaosiga o le plasma e tutusa ma le tekinolosi TCP ua taʻua muamua, ae o le faʻaogaina o le kesi o le kesi e maualuga tele, lea e faʻamalosia e maua ai le maualuga o le plasma concentration.
Talu ai o le lelei o le faʻaogaina o fesoʻotaʻiga e gaosia ai le plasma e maualuga atu nai lo le faʻaogaina o le capacitive, ma o le plasma e masani ona gaosia i le eria e latalata i le faʻamalama dielectric, o lona plasma concentration e faʻamoemoeina e le mana o le puna eletise e fesoʻotaʻi ma le inductor. coil, ma le malosi o le ion i totonu o le ion sheath i luga o le fogaeleele o le wafer e masani lava ona fuafuaina e le mana o le sapalai o le mana faaituau, o lea e mafai ai ona pulea tutoatasi le concentration ma le malosi o ion, ma ausia ai le decoupling.
O meafaigaluega etching ICP o se tasi lea o ituaiga e lua e sili ona faʻaaogaina o masini etching plasma. E masani ona faʻaaogaina mo le togitogiina o alavai papaʻu, germanium (Ge), fausaga faitotoʻa polysilicon, fausaga faitotoʻa uʻamea, silicon faʻamaʻi (Srained-Si), uaea uʻamea, pads (Pads), mosaic etching metal hard masks ma le tele o faiga i totonu. tele fa'atekonolosi ata.
E le gata i lea, faatasi ai ma le siitia o le tolu-dimensional circuit circuits, CMOS image sensors ma micro-electro-mechanical system (MEMS), faapea foi ma le vave faateleina o le faaaogaina o le silicon vias (TSV), lapopoa oblique pu ma etching silicon loloto ma morphologies eseese, tele gaosi oloa ua faalauiloa meafaigaluega etching atiina ae faapitoa mo nei talosaga. O ona uiga o le loloto etching tele (sefulu po o le selau o microns), o lea e tele lava ina galue i lalo o le maualuga o le kesi tafe, mamafa maualuga ma tulaga mana maualuga.
——————————————————————————————————————————————— ———————————-
Semicera e mafai ona tuʻuina atuvaega graphite, lagona vaivai/malosi, vaega silikon carbide, CVD silicon carbide vaega, maSiC/TaC vaega fa'apipi'ima i le 30 aso.
Afai e te fiafia i oloa semiconductor o loʻo i luga,faamolemole aua le faatuai e faafesootai i matou i le taimi muamua.
Telefoni: +86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Taimi meli: Aukuso-31-2024