E pei o se tasi o vaega autu oMOCVD meafaigaluega, graphite base o le ave ma le faʻavevela tino o le substrate, lea e fuafua saʻo ai le tutusa ma le mama o mea ata tifaga, o lona uiga lelei e aafia saʻo ai le saunia o le pepa epitaxial, ma i le taimi lava e tasi, faatasi ai ma le faateleina o le numera o faʻaoga ma le suiga o tulaga faigaluega, e matua faigofie lava ona ofuina, o loʻo i totonu o mea faʻaaogaina.
E ui lava o le graphite e sili ona lelei le faʻaogaina o le vevela ma le mautu, o loʻo i ai se avanoa lelei e avea o se vaega autu oMOCVD meafaigaluega, ae i le faagasologa o le gaosiga, o le graphite o le a faʻaleagaina le paʻu ona o le toega o kasa faʻamaʻi ma uʻamea uʻamea, ma o le a faʻaititia tele le ola tautua o le graphite base. I le taimi lava e tasi, o le pauu pa'ū graphite o le a mafua ai le filogia i le pu.
O le tulaʻi mai o tekonolosi faʻapipiʻi e mafai ona tuʻuina atu le faʻapipiʻiina o le paʻu, faʻaleleia le faʻafefe o le vevela, ma tutusa le tufatufaina o le vevela, lea ua avea ma tekonolosi autu e foia ai lenei faafitauli. Fa'avae kalafi i totonuMOCVD meafaigaluegafa'aoga si'osi'omaga, graphite fa'avae pito i luga e tatau ona fetaui ma uiga nei:
(1) E mafai ona afifi atoatoa le faavae graphite, ma le density e lelei, a leai o le faavae graphite e faigofie ona corroded i le kesi corrosive.
(2) O le malosi tuʻufaʻatasia ma le faavae graphite e maualuga e faʻamautinoa ai e le faigofie ona paʻu ese le ufiufi pe a uma le tele o le vevela ma le maualalo o le vevela.
(3) E lelei le mautu o vailaʻau e aloese ai mai le faʻaogaina o le paʻu i le maualuga o le vevela ma le atemosifia pala.
O le SiC o loʻo i ai le lelei o le faʻamaʻiina o le pala, maualuga le vevela, faʻalavelave faʻafuaseʻi ma le mautu o vailaʻau, ma e mafai ona galue lelei i le GaN epitaxial atmosphere. E le gata i lea, o le maualuga o le faʻalauteleina o le vevela o le SiC e matua ese lava mai le graphite, o lea o le SiC o le mea sili lea mo le faʻapipiʻiina o le graphite base.
I le taimi nei, o le SiC masani o le 3C, 4H ma le 6H ituaiga, ma o le SiC faʻaogaina o ituaiga tioata eseese e eseese. Mo se faʻataʻitaʻiga, e mafai e le 4H-SiC ona gaosia masini maualuga; 6H-SiC e sili ona mautu ma e mafai ona gaosia masini photoelectric; Ona o lona fausaga tutusa i le GaN, e mafai ona faʻaaogaina le 3C-SiC e gaosia ai le gaN epitaxial layer ma le gaosiga o masini SiC-GaN RF. 3C-SiC e masani ona lauiloa oβ-SiC, ma se faʻaoga taua oβ-SiC e pei o se ata tifaga ma mea faʻapipiʻi, o leaβ-SiC o le taimi nei o le mea autu mo le ufiufi.
Taimi meli: Nov-06-2023