E pei ona tatou iloa, i totonu o le semiconductor field, tasi tioata tioata (Si) o le sili ona faʻaaogaina ma sili ona tele-volume semiconductor mea faavae i le lalolagi. I le taimi nei, e sili atu i le 90% o oloa semiconductor o loʻo gaosia e faʻaaoga ai mea faʻavae faʻavae. Faʻatasi ai ma le faʻateleina o le manaʻoga mo masini maualuga ma maualuga-voltage i le malosiaga faʻaonaponei, ua tuʻuina atu manaʻoga sili atu mo le faʻaogaina o mea faʻapipiʻi semiconductor e pei o le lautele o le bandgap, malepelepe eletise eletise eletise, eletise eletise, ma le vevela. I lalo o lenei tulaga, lautele bandgap semiconductor meafaitino o loʻo faʻatusalia ecarbide silikoni(SiC) ua tulaʻi mai e pei o le pele o le maualuga o le malosi o talosaga.
I le avea ai o se semiconductor tuufaatasia,carbide silikonie matua seasea lava i le natura ma e aliali mai i foliga o le mineral moissanite. I le taimi nei, toetoe lava o carbide silikoni uma o loʻo faʻatau atu i le lalolagi o loʻo faʻapipiʻiina. Silicon carbide o loʻo i ai le lelei o le maualuga o le maaa, maualuga le vevela, faʻamautu lelei o le vevela, ma le maualuga o le malepelepe eletise eletise. O se mea lelei mo le faia o masini semiconductor maualuga-voltage ma le malosi.
O lea la, e fa'afefea ona gaosia masini semiconductor eletise silicon carbide?
O le a le eseesega i le va o le gaosiga o masini carbide silicon ma le gaosiga masani o le gaosiga faʻavae? E amata mai i lenei lomiga, “O mea e uiga iSilicon Carbide masiniO le gaosiga" o le a faʻaalia taʻitasi mealilo.
I
Fa'agasologa fa'agasologa ole gaosiga o masini carbide
O le gaosiga o le gaosiga o masini carbide silicon e masani ona tutusa ma masini faʻavae silicon, aemaise lava e aofia ai photolithography, faʻamamaina, doping, etching, ata tifaga, thinning ma isi faiga. Le tele o masini eletise e mafai ona faʻamalieina manaʻoga gaosiga o masini carbide silicon e ala i le faʻaleleia o latou laina gaosiga e faʻavae i luga o le gaosiga o gaosiga faʻavae. Ae ui i lea, o mea faʻapitoa o mea faʻapipiʻi silicon carbide e faʻamautinoa ai o nisi o gaioiga i lona gaosiga o masini e manaʻomia ona faʻalagolago i meafaigaluega faʻapitoa mo atinaʻe faʻapitoa e mafai ai e masini carbide silicon ona tatalia le maualuga o le voltage ma le maualuga.
II
Fa'atomuaga i fa'asologa fa'apitoa fa'agasologa silicon carbide
O le silicon carbide faʻapitoa faʻagasologa modules e masani lava ona ufiufi tui doping, fausaga faitotoʻa fausia, morphology etching, metallization, ma thining faagasologa.
(1) tui tui: Ona o le maualuga o le carbon-silicon bond bond i le silicon carbide, e faigata ona faʻasalalau ia atomi le mama i le silicon carbide. Pe a saunia masini carbide silicon, o le doping o PN junctions e mafai ona ausia naʻo le faʻapipiʻiina o ion i le vevela maualuga.
Doping e masani ona faia i ions le mama e pei o boron ma phosphorus, ma le loloto doping e masani lava 0.1μm ~ 3μm. O le fa'apipi'iina o le ion malosi maualuga o le a fa'aleagaina ai le fausaga lattice o le mea fa'amea carbide lava ia. E mana'omia le su'eina o le vevela maualuga e toe fa'aleleia ai le fa'aleagaina o le lattice e mafua mai i le fa'apipi'iina o le ion ma fa'atonutonu le a'afiaga o le fa'afefe i luga o le eleele. O fa'agasologa autu o le fa'apipi'iina o le ion i luga o le vevela ma le fa'afefeteina o le vevela maualuga.
Ata 1 Ata fa'ata'ita'i o le fa'atupuina o le ion ma a'afiaga fa'afefete maualuga
(2) Faʻatulagaina o le faitotoʻa: O le lelei o le SiC / SiO2 faʻafesoʻotaʻi o loʻo i ai se aafiaga tele i luga o le auala femalagaiga ma le faʻatuatuaina ole faitotoa ole MOSFET. E manaʻomia le atinaʻeina o auala faʻapipiʻi faʻamaʻi faʻamaʻi ma faʻamaʻi faʻamaʻi faʻamaʻi e totogi ai fusi faʻapipiʻi i le SiC / SiO2 faʻatasi ma atoms faʻapitoa (e pei o nitrogen atoms) e faʻamalieina ai manaʻoga o le SiC / SiO2 maualuga maualuga ma maualuga. femalagaiga o masini. O fa'agasologa autu o le gate oxide maualuga-vevela oxidation, LPCVD, ma le PECVD.
Ata 2 Ata fa'ata'ita'i o le fa'aputuina o ata tifaga masani ma le fa'ama'iina o le vevela maualuga
(3) Morphology etching: Silicon carbide meafaitino e le aoga i solvents kemisi, ma le pulea tonu morphology e mafai ona ausia e ala i auala mago etching; mea ufimata, filifili etching ufimata, kesi fefiloi, pulea sidewall, fua faatatau etching, roughness sidewall, ma isi e tatau ona atiina ae e tusa ai ma uiga o mea carbide silicon. O faiga autu o le teuina o ata manifinifi, photolithography, corrosion ata tifaga dielectric, ma faiga etching mago.
Ata 3 Ata fa'ata'ita'i o le fa'agasologa o le togitogiina o karbide silikoni
(4) Metallization: O le puna eletise o le masini e manaʻomia ai le uʻamea e fausia ai se fesoʻotaʻiga ohmic lelei maualalo ma le carbide silicon. O lenei mea e le gata ina manaʻomia ai le faʻatonutonuina o le faʻaogaina o le uʻamea ma le faʻatonutonuina o le tulaga faʻafesoʻotaʻi o le fesoʻotaʻiga uʻamea-semiconductor, ae e manaʻomia ai foʻi le maualuga o le vevela e faʻaitiitia ai le maualuga o le paʻu o Schottky ma ausia ai le faʻafesoʻotaʻi ohmic metal-silicon carbide. O fa'agasologa autu o le fa'amama maneta u'amea, fa'asao fa'aeletonika fa'alava, ma le fa'amama vave.
Ata 4 Ata fa'ata'ita'i ole faiga fa'avae ole maneta fa'amaneta ma le a'afiaga ole u'amea
(5) Thinning faagasologa: Silicon carbide mea o loʻo i ai uiga o le maaa maualuga, brittleness maualuga ma maualalo gau gau. O lona fa'agasologa o le oloina e matele lava e mafua ai ona gau malepelepe o mea, ma mafua ai ona fa'aleagaina le pito ma'i ma lalo. E mana'omia le fa'atupuina o faiga fou e olo ai ina ia fa'amalieina mana'oga gaosiga o masini carbide silicon. O fa'agasologa autu o le fa'amamafaina o tisiki olo, pipii ata ma pa'u, ma isi.
Ata 5 Fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga o le fa'ata'ita'iga o le oloina/fa'amamafa
Taimi meli: Oke-22-2024