Silicon carbide (SiC)o se mea taua tele bandgap semiconductor mea fa'aaoga lautele i masini eletise maualuga ma maualuga. O nisi nei o vaega autu ou'amea carbide silikonima a latou faʻamatalaga auiliili:
Lattice Parameter:
Ia mautinoa o le lattice tumau o le substrate e fetaui ma le epitaxial layer e fa'atupuina e fa'aitiitia ai fa'aletonu ma le atuatuvale.
Mo se faʻataʻitaʻiga, o le 4H-SiC ma le 6H-SiC o loʻo i ai faʻamaufaʻailoga eseese, lea e aʻafia ai le tulaga lelei o le epitaxial layer ma le faʻatinoga o masini.
Fa'asologa Fa'aputu:
O le SiC o loʻo faʻavaeina i le silicon atoms ma carbon atoms i le 1: 1 ratio i luga o se fua faʻatatau, ae o le faʻatonuga o le faʻasologa o le atomic layers e ese, lea o le a fausia ai fausaga tioata eseese.
O foliga tioata masani e aofia ai le 3C-SiC (tulaga kupita), 4H-SiC (tulaga hexagonal), ma le 6H-SiC (tulaga hexagonal), ma o faʻasologa faʻapipiʻi tutusa o: ABC, ABCB, ABCACB, ma isi. uiga ma meatotino faʻaletino, o le filifilia o le tioata saʻo foliga e taua tele mo faʻaoga faʻapitoa.
Mohs Hardness: Fuafuaina le maaa o le substrate, lea e afaina ai le faigofie o le gaioiga ma le ofuina o le tetee.
Silicon carbide e maualuga tele le malosi o le Mohs, e masani lava i le va o le 9-9.5, ma avea ai ma mea faigata tele e talafeagai mo faʻaoga e manaʻomia ai le maualuga o le ofuina.
Density: E a'afia ai le malosi fa'ainisinia ma meatotino vevela o le mea'ai.
O le maualuga maualuga o lona uiga e sili atu le malosi faʻainisinia ma le faʻafefe.
Coefficient Fa'alauteleina o le vevela: Fa'asino i le fa'atuputeleina o le umi po'o le voluma o le mea'ai e fa'atatau i le umi muamua po'o le voluma pe a si'itia le vevela ile tasi tikeri Celsius.
O le fetaui i le va o le substrate ma le epitaxial layer i lalo o suiga o le vevela e afaina ai le mautu o le vevela o le masini.
Fa'asinoga Fa'asinomaga: Mo fa'aoga fa'apitoa, o le fa'asinomaga fa'asino o se fa'ailoga autu i le mamanu o masini optoelectronic.
O ese'esega ile fa'asino ole fa'ailoga e a'afia ai le saoasaoa ma le ala o galu malamalama i totonu o mea.
Dielectric Constant: E afaina ai uiga gafatia o le masini.
Ole fa'amaulalo ole dielectric e fesoasoani e fa'aitiitia le malosi ole parasitic ma fa'aleleia le fa'atinoga ole masini.
Amioga vevela:
Fa'atautau mo fa'aoga maualuga ma le vevela, e a'afia ai le fa'amalieina lelei o le masini.
O le maualuga o le vevela o le carbide silicon e fetaui lelei mo masini eletise eletise maualuga aua e mafai ona faʻaleleia lelei le vevela mai le masini.
Va-vaa:
Fa'asino i le eseesega o le malosi i le va o le pito i luga o le pa'u valence ma le pito i lalo o le fa'aau fa'aulu i totonu o se mea semiconductor.
E mana'omia e mea fa'alava lautele le malosi e fa'aosofia ai suiga fa'aeletonika, lea e fa'atino lelei ai le carbide silicon i si'osi'omaga maualuga ma fa'avevela.
Fa'aeletise Eletise Malae:
Le tapulaa tapulaa e mafai e se mea semiconductor ona tatalia.
Silicon carbide o loʻo i ai se eletise eletise maualuga tele, lea e mafai ai ona tatalia le maualuga tele o voltage e aunoa ma le malepelepe.
Saosaoa Fa'aa'e le Savili:
Ole maualuga ole saosaoa e mafai ona o'o atu i ai le fe'avea'i pe a mae'a se fa'aeletise fa'apitoa e fa'aoga ile mea semiconductor.
A faʻateleina le malosi o le eletise i se tulaga faʻapitoa, o le a le toe faʻateleina le saoasaoa o le avetaʻavale ma le faʻaleleia atili o le eletise eletise. O le saosaoa i lenei taimi ua ta'ua o le saturation drift velocity. SiC o loʻo i ai le maualuga o le saturation drift velocity, lea e aoga mo le faʻatinoina o masini eletise televave.
O nei ta'otoga fa'atasi e fuafua ai le fa'atinoga ma le fa'aogaina oSiC wafersi faʻaoga eseese, aemaise lava i latou o loʻo i totonu o le malosi maualuga, maualuga-televave ma maualuga-vevela siosiomaga.
Taimi meli: Iul-30-2024