O le tuputupu aʻe o le Epitaxial o se tekinolosi e faʻatupuina ai se tioata tioata e tasi i luga o se mea tioata tioata e tasi (substrate) faʻatasi ai ma le faʻataʻitaʻiga tioata tutusa e pei o le mea faʻapipiʻi, e pei o le tioata muamua ua faʻalauteleina i fafo. O lenei fa'ato'a tupu a'e tasi tioata tioata e mafai ona ese mai le substrate i tulaga o le conductivity ituaiga, resistivity, ma isi, ma e mafai ona tupu le tele-layer tioata tasi ma eseese mafiafia ma manaoga eseese, o lea e matua faaleleia ai le fetuutuunai o le mamanu masini ma le faatinoga o masini. E le gata i lea, o le epitaxial process o loʻo faʻaaogaina lautele i le PN junction isolation technology i faʻasalalauga tuʻufaʻatasia ma i le faʻaleleia atili o le tulaga lelei o meafaitino i le tele-fua faʻapipiʻi fesoʻotaʻiga.
O le faʻavasegaina o le epitaxy e faʻavae tele i luga ole vailaʻau vailaʻau eseese o le substrate ma le epitaxial layer ma auala eseese o le tuputupu aʻe.
E tusa ai ma vailaʻau vailaʻau eseese, o le tuputupu aʻe o le epitaxial e mafai ona vaevaeina i ni ituaiga se lua:
1. Homoepitaxial:
I lenei tulaga, o le epitaxial layer o loʻo i ai le tuʻufaʻatasiga o vailaʻau e tasi e pei o le substrate. Mo se fa'ata'ita'iga, fa'apipi'i epitaxial layers e fa'atupu sa'o i luga o mea fa'apipi'i.
2. Heteroepitaxy:
O iinei, o le vailaʻau vailaʻau o le epitaxial layer e ese mai le mea o le substrate. Mo se faʻataʻitaʻiga, o le gallium nitride epitaxial layer e tupu aʻe i luga o se mea safaira.
E tusa ai ma metotia tuputupu aʻe eseese, e mafai foi ona vaevaeina tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial i ituaiga eseese:
1. Molecular beam epitaxy (MBE):
O se tekinolosi lea mo le fa'atupuina o ata manifinifi tioata tasi i luga o substrate tioata e tasi, lea e ausia e ala i le pulea tonu o le fua o le tafe mole mole ma le mamafa o le beam i le maualuga maualuga.
2. Uamea-organic ausa vaila'au fa'agata (MOCVD):
O lenei tekinolosi e faʻaogaina ai mea faʻapipiʻi uʻamea-organic ma kesi-vase reagents e faʻatino ai vailaʻau i le vevela maualuga e gaosia ai mea manifinifi e manaʻomia. O lo'o i ai le tele o fa'aoga i le sauniaina o mea fa'apipi'i semiconductor ma masini.
3. Epitaxy vaega vai (LPE):
E ala i le fa'aopoopoina o mea fa'asuavai i se mea tioata tioata e tasi ma fa'atino togafitiga vevela i se vevela fa'apitoa, o le mea vai e fa'a crystallize e fausia ai se ata tioata e tasi. O ata na saunia e lenei tekinolosi e faʻafetaui i le mea faʻapipiʻi ma e masani ona faʻaaogaina e saunia ai mea faʻapipiʻi semiconductor ma masini.
4. Epitaxy vaega ausa (VPE):
Fa'aaogā mea fa'aoso kasa e fa'atino ai gaioiga fa'a-kemikolo i le vevela maualuga e fa'atupu ai mea e mana'omia. O lenei tekinolosi e fetaui lelei mo le sauniaina o le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi, ma e sili ona mataʻina i le sauniuniga o mea semiconductor faʻapipiʻi ma masini.
5. Epitaxy beam (CBE):
O lenei tekinolosi e faʻaogaina ai vailaʻau e faʻatupu ai ata tioata taʻitasi i luga o substrate tioata e tasi, lea e ausia e ala i le pulea saʻo o le fua o le tafe o le vailaʻau ma le mamafa o le beam. O loʻo i ai le lautele o faʻaoga i le sauniuniga o ata tifaga manifinifi tioata tasi maualuga.
6. Atomic layer epitaxy (ALE):
I le fa'aaogaina o tekinolosi fa'ameamea, o mea e mana'omia o ata manifinifi o lo'o fa'aputuina fa'alava i luga o se mea tioata e tasi. O lenei tekinolosi e mafai ona saunia ai le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi ma e masani ona faʻaaogaina e saunia mea semiconductor faʻapipiʻi ma masini.
7. Epitaxy puipui vevela (HWE):
E ala i le vevela vevela maualuga, o lo'o fa'aputuina mea fa'afefete i luga o se mea tioata se tasi e fausia ai se ata tioata e tasi. O lenei tekinolosi e talafeagai foi mo le sauniaina o le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi, ma e faʻaaogaina faapitoa i le sauniuniga o mea faʻapipiʻi semiconductor ma masini.
Taimi meli: Me-06-2024