O le a le tuputupu aʻe o le epitaxial?

O le tuputupu aʻe o le Epitaxial o se tekinolosi e faʻatupuina ai se tioata tioata e tasi i luga o se mea tioata tioata e tasi (substrate) faʻatasi ai ma le faʻataʻitaʻiga tioata tutusa e pei o le mea faʻapipiʻi, e pei o le tioata muamua ua faʻalauteleina i fafo. O lenei fa'ato'a tupu a'e tasi tioata tioata e mafai ona ese mai le substrate i tulaga o le conductivity ituaiga, resistivity, ma isi, ma e mafai ona tupu le tele-layer tioata tasi ma eseese mafiafia ma manaoga eseese, o lea e matua faaleleia ai le fetuutuunai o le mamanu masini ma le faatinoga o masini. E le gata i lea, o le epitaxial process o loʻo faʻaaogaina lautele i le PN junction isolation technology i faʻasalalauga tuʻufaʻatasia ma i le faʻaleleia atili o le tulaga lelei o meafaitino i le tele-fua faʻapipiʻi fesoʻotaʻiga.

O le faʻavasegaina o le epitaxy e faʻavae tele i luga ole vailaʻau vailaʻau eseese o le substrate ma le epitaxial layer ma auala eseese o le tuputupu aʻe.
E tusa ai ma vailaʻau vailaʻau eseese, o le tuputupu aʻe o le epitaxial e mafai ona vaevaeina i ni ituaiga se lua:

1. Homoepitaxial: I lenei tulaga, o le epitaxial layer o loʻo i ai le vailaʻau faʻasolosolo tutusa e pei o le substrate. Mo se fa'ata'ita'iga, fa'apipi'i epitaxial layers e fa'atupu sa'o i luga o mea fa'apipi'i.

2. Heteroepitaxy: O iinei, o le vailaʻau vailaʻau o le epitaxial layer e ese mai le mea o le substrate. Mo se faʻataʻitaʻiga, o le gallium nitride epitaxial layer o loʻo tupu i luga o se mea safaira.

E tusa ai ma metotia tuputupu aʻe eseese, e mafai foi ona vaevaeina tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial i ituaiga eseese:

1. Molecular beam epitaxy (MBE): O se tekinolosi lenei mo le fa'atupuina o ata manifinifi tioata tasi i luga o substrate tioata e tasi, lea e ausia e ala i le pulea tonu o le fua o le tafe o le mole mole ma le mamafa o le beam i le ultra-high vacuum.

2. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD): O lenei tekinolosi e fa'aogaina ai mea fa'apipi'i u'amea-organic ma kesi-vase reagents e fa'atino ai gaioiga fa'ama'i i le vevela maualuga e gaosia ai mea manifinifi mana'omia. O lo'o i ai le tele o fa'aoga i le sauniaina o mea fa'apipi'i semiconductor ma masini.

3. Liquid phase epitaxy (LPE): E ala i le faʻaopopoina o mea vai i se mea tioata tioata e tasi ma faʻatino togafitiga vevela i se vevela faapitoa, o le mea vai tioata e faʻapipiʻi ai se ata tioata e tasi. O ata na saunia e lenei tekinolosi e faʻafetaui i le mea faʻapipiʻi ma e masani ona faʻaaogaina e saunia ai mea faʻapipiʻi semiconductor ma masini.

4. Vapor phase epitaxy (VPE): Fa'aaogā kasa e fa'aoso e fa'atino gaioiga fa'ama'i i le vevela maualuga e fa'atupuina ai mea manifinifi e mana'omia. O lenei tekinolosi e fetaui lelei mo le sauniaina o le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi, ma e sili ona mataʻina i le sauniuniga o mea semiconductor faʻapipiʻi ma masini.

5. Chemical beam epitaxy (CBE): O lenei tekinolosi e faʻaogaina ai vailaʻau faʻamaʻi e tupu ai ata tioata taʻitasi i luga o substrate tioata tasi, lea e ausia e ala i le pulea saʻo o le fua o le tafe vailaʻau ma le mamafa o le beam. O loʻo i ai le lautele o faʻaoga i le sauniuniga o ata tifaga manifinifi tioata tasi maualuga.

6. Atomic layer epitaxy (ALE): Faʻaaogaina tekinolosi faʻapipiʻiina o le atomic layer, o mea manifinifi manaʻomia o loʻo teuina i luga o se mea tioata e tasi. O lenei tekinolosi e mafai ona saunia ai le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi ma e masani ona faʻaaogaina e saunia mea semiconductor faʻapipiʻi ma masini.

7. Epitaxy puipui vevela (HWE): E ala i le vevela vevela maualuga, o loʻo faʻapipiʻiina mea faʻafefe kesi i luga o se mea tioata tioata e tasi e fausia ai se ata tioata e tasi. O lenei tekinolosi e talafeagai foi mo le sauniaina o le tele-vaega, maualuga-lelei ata tioata tasi, ma e faʻaaogaina faapitoa i le sauniuniga o mea faʻapipiʻi semiconductor ma masini.