O le tele o inisinia e le masani i aiepitaxy, lea e faia se sao taua i le gaosiga o masini semiconductor.Epitaxye mafai ona faʻaaogaina i oloa vaʻa eseese, ma oloa eseese e iai ituaiga eseese o epitaxy, e aofia aiO le epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, ma isi.
O le a le epitaxy?
Epitaxy e masani ona taʻua "Epitaxy" i le Igilisi. O le upu e sau mai le upu Eleni “epi” (o lona uiga “luga”) ma “taxi” (o lona uiga “faatulagaina”). E pei ona taʻu mai e le igoa, o lona uiga o le faatulagaina lelei i luga o se mea. O le faiga epitaxy o le teuina lea o se tioata manifinifi se tasi i luga o se mea tioata se tasi. O lenei vaega tioata fou faatoa teuina e ta'ua o le epitaxial layer.
E lua ituaiga autu o le epitaxy: homoepitaxial ma heteroepitaxial. O le Homoepitaxial e fa'atatau i le fa'atupuina o le mea lava e tasi i luga o le ituaiga mea e tasi. O le epitaxial layer ma le substrate e tutusa lelei le fausaga lattice. Heteroepitaxy o le tuputupu aʻe o se isi mea i luga o se mea e tasi. I lenei tulaga, o le fausaga lattice o le epitaxially tupu tioata tioata ma le substrate atonu e ese. O a tioata tasi ma polycrystalline?
I semiconductors, e masani ona tatou faʻalogo i upu tasi tioata tioata ma polycrystalline silicon. Aisea ua ta'ua ai nisi kakono o tioata tasi ae o nisi kaikoko e ta'ua o le polycrystalline?
Tasi tioata: O le faʻatulagaina o lattice e faʻaauau pea ma e le suia, e aunoa ma ni tuaoi o saito, o lona uiga, o le tioata atoa e aofia ai se lattice e tasi ma le faʻasologa o tioata. Polycrystalline: O le Polycrystalline e aofia ai le tele o fatu laiti, o ia mea taitasi o se tioata e tasi, ma o latou faʻasologa e faʻafuaseʻi e faʻatatau i le tasi ma le isi. O nei fatu e tuueseeseina e tuaoi o saito. O le tau o le gaosiga o mea polycrystalline e maualalo ifo nai lo tioata tasi, o lea e aoga pea i nisi o talosaga. O fea o le a aofia ai le epitaxial process?
I le gaosiga o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasiga faʻavae silicon, o le epitaxial process e faʻaaogaina lautele. Mo se faʻataʻitaʻiga, epitaxy silicon e faʻaaogaina e faʻatupu ai se faʻamaʻi mama ma pulea lelei i luga o se mea faʻapipiʻi silicon, lea e matua taua tele mo le gaosiga o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia. E le gata i lea, i masini eletise, SiC ma GaN e lua e masani ona faʻaaogaina lautele bandgap semiconductor mea faʻapipiʻi e sili ona lelei le faʻaogaina o malosiaga. O nei mea e masani ona ola i luga o le silikoni poʻo isi mea faʻapipiʻi e ala i le epitaxy. I feso'ota'iga quantum, e masani ona fa'aogaina e fa'aputuga epitaxial epitaxial bits e fa'avae semiconductor. Ma isi.
Metotia o le tuputupu ae epitaxial?
E tolu auala masani e faʻaaogaina epitaxy semiconductor:
Molecular beam epitaxy (MBE): Molecular beam epitaxy) o se semiconductor epitaxial tuputupu a'e tekinolosi fa'atino i lalo o le maualuga-maualuga vacuum tulaga. I lenei tekinolosi, o le mea e maua mai ai e faʻafefe i foliga o atoms poʻo mole mole mole ma tuʻu i luga o se mea tioata tioata. MBE o se matua sa'o ma pulea semiconductor manifinifi tuputupu aʻe tekinolosi e mafai ona pulea tonu le mafiafia o le mea teuina i le tulaga atomic.
Metal organic CVD (MOCVD): I le faagasologa o le MOCVD, uʻamea faʻaola ma kasa hydride o loʻo i ai elemene manaʻomia o loʻo tuʻuina atu i le substrate i se vevela talafeagai, ma o mea e manaʻomia semiconductor e gaosia e ala i vailaʻau faʻamaʻi ma teuina i luga o le substrate, ae o isi mea e totoe. fa'aputuga ma mea fa'afoliga e fa'ate'a.
Vapor Phase Epitaxy (VPE): Vapor Phase Epitaxy o se tekinolosi taua e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga o masini semiconductor. O lona fa'avae autu o le felauaiga o le ausa o se mea e tasi po'o se mea fa'apipi'i i totonu o se kasa va'ava'a ma fa'aputu tioata i luga o se mea'ai e ala i gaioiga fa'ama'i.
Taimi meli: Au-06-2024