I le faagasologa o le sauniuniga o le wafer, e lua fesoʻotaʻiga autu: tasi o le sauniuniga o le substrate, ma le isi o le faʻatinoga o le epitaxial process. O le substrate, o se wafer ma le faaeteete na faia mai semiconductor mea tioata tasi, e mafai ona tuu tuusaʻo i totonu o le faiga o le gaosiga o le wafer e fai ma faavae e gaosia ai masini semiconductor, pe mafai foi ona faʻaleleia atili e ala i faiga epitaxial.
O le a la le denotation? I se faapuupuuga, o le epitaxy o le tuputupu aʻe lea o se vaega fou o le tioata e tasi i luga o se mea tioata tioata e tasi ua maeʻa lelei (otiina, oloina, polesi, ma isi). O lenei laulau tioata tasi fou ma le substrate e mafai ona faia i le mea lava e tasi poʻo mea eseese, ina ia mafai ona ausia le tutusa poʻo le heteroepitaxial tuputupu aʻe pe a manaʻomia. Talu ai ona o le a faʻalauteleina le faʻapipiʻi tioata tasi faatoa tupu e tusa ai ma le vaega tioata o le substrate, e taʻua o le epitaxial layer. O lona mafiafia e masani lava na o ni nai microns. O le faia o le silicon e fai ma faʻataʻitaʻiga, o le tuputupu aʻe o le silicon epitaxial o le faʻatupuina lea o se vaega o le silicon ma le faʻataʻitaʻiga tioata tutusa e pei o le mea faʻapipiʻi, teteʻe faʻatonutonu ma le mafiafia, i luga o se mea faʻapipiʻi tioata tasi ma se faʻataʻitaʻiga tioata patino. O se fa'a tioata tasi fa'a tioata fa'atasi ma le fausaga lattice atoatoa. Pe a tupu aʻe le epitaxial layer i luga o le substrate, e taʻua atoa o le epitaxial wafer.
Mo le alamanuia semiconductor silicon masani, gaosiga maualuga-telefoni ma le malosi-masini masini tuusao i luga ole kasa wafers o le a feagai ma nisi faigata faʻapitoa. Mo se faʻataʻitaʻiga, o manaʻoga o le maualuga o le gau, o le faʻasologa o faʻasologa laiti ma le pa'ū laititi o le saturation i le vaega e aoina e faigata ona ausia. O le faʻaofiina o tekinolosi epitaxy e foʻia ma le poto nei faʻafitauli. O le vaifofo o le fa'atupuina lea o se fa'amaufa'ailoga epitaxial maualuga i luga o se mea'ai silicon substrate, ona fa'apipi'i lea o masini i luga o le epitaxial layer maualuga-resistivity. I lenei auala, o le maualuga-resistivity epitaxial layer e maua ai se voltage gau maualuga mo le masini, ae o le substrate maualalo-resistivity e faʻaitiitia ai le teteʻe o le substrate, ma faʻaitiitia ai le pa'ū o le saturation voltage, ma maua ai le maualuga o le gau ma le paleni laʻititi i le va o le tetee ma pa'u eletise laititi.
E le gata i lea, o tekinolosi epitaxy e pei o le epitaxy vapor phase ma le liquid phase epitaxy o GaAs ma isi III-V, II-VI ma isi molecular compound semiconductor material ua matua atiina ae ma ua avea ma faavae mo le tele o masini microwave, masini optoelectronic ma le malosi. masini. Tekinolosi faagasologa taua mo le gaosiga, aemaise lava le faaaogaina manuia o le molecular beam ma uamea-organic vapor phase epitaxy tekinolosi i layers manifinifi, superlattices, quantum wells, strained superlattices, ma atomic-level thin-layer epitaxy ua avea ma se fanua fou o suesuega semiconductor. O le atinaʻeina o le "Energy Belt Project" ua faʻavaeina se faavae mautu.
E tusa ai ma masini semiconductor lona tolu o augatupulaga, e toetoe lava o ia masini semiconductor e faia i luga o le epitaxial layer, ma o le silicon carbide wafer lava ia e na o le mea'ai. O le mafiafia o mea epitaxial SiC, faʻasalalauga faʻasalalau ma isi faʻamaufaʻailoga e fuafua saʻo ai le tele o mea eletise o masini SiC. Silicon carbide masini mo talosaga maualuga-voltage tuʻuina atu manaʻoga fou mo faʻamaufaʻailoga e pei o le mafiafia o mea epitaxial ma le faʻaogaina o le vaʻa. O le mea lea, o le silicon carbide epitaxial technology e faia se sao taua i le faʻaaogaina atoatoa o le faʻatinoga o masini carbide silicon. O le sauniuniga o le toetoe lava o masini eletise SiC uma e faʻavae i luga o le maualuga o le SiC epitaxial wafers. O le gaosiga o le epitaxial layers o se vaega taua o le lautele bandgap semiconductor industry.
Taimi meli: Me-06-2024