CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Va'aiga lautele:CVDcarbide silikoni tele (SiC)o se mea e sili ona sailia i masini etching plasma, faʻaogaina vave o le vevela (RTP), ma isi faʻagasologa o gaosiga semiconductor. O lona tulaga fa'apitoa fa'ainisinia, vaila'au, ma mea fa'amama e avea ai ma mea lelei mo fa'aoga fa'atekonolosi fa'atekinolosi e mana'omia ai le sa'o maualuga ma le tumau.
Talosaga o le CVD Bulk SiC:Ole Bulk SiC e taua tele ile pisinisi semiconductor, aemaise ile plasma etching system, lea e aoga ai vaega e pei o mama taula'i, kasa ta'ele, mama pito, ma platens e aoga mai le tulaga mata'ina o le SiC e tete'e ma le vevela. O lona faʻaaogaina e faʻalautele atu iRTPfaiga ona o le malosi o le SiC e tetee atu ai i suiga vave o le vevela e aunoa ma se fa'aleagaina tele.
I le faaopoopo atu i meafaigaluega etching, CVDtele SiCe fiafia i totonu o ogaumu faʻasalalau ma faʻagasologa o le tuputupu aʻe tioata, lea e manaʻomia ai le maualuga o le vevela ma le teteʻe atu i siosiomaga vailaʻau malosi. O nei uiga e avea ai le SiC ma mea e filifilia mo talosaga maualuga e aofia ai le maualuga o le vevela ma kasa pala, e pei o mea o loʻo i ai le chlorine ma le fluorine.
Tulaga lelei o le CVD Bulk SiC Components:
•Malosi maualuga:Faatasi ai ma le mamafa o le 3.2 g/cm³,CVD tele SiCo vaega e matua tete'e i le ofuina ma le aafiaga fa'ainisinia.
•Fa'aavevelaina maualuga:O le ofoina atu o le vevela o le 300 W / m · K, tele SiC e pulea lelei le vevela, ma faʻalelei mo vaega e faʻaalia i le vevela vevela.
•Tulaga Fa'ate'e Fa'ama'i:O le maualalo o le gaioiga o le SiC ma kasa etching, e aofia ai le chlorine ma le fluorine-based chemicals, e mautinoa ai le umi o le ola o vaega.
•Fete'ena'i fetu'una'i: CVD tele SiC'sresistivity e mafai ona customized i totonu o le va o le 10⁻²–10⁴ Ω-cm, e mafai ona fetuutuunai i etching faapitoa ma semiconductor manaoga gaosiga.
•Coefficient Fa'alauteleina o le vevela:Faʻatasi ai ma le faʻalauteleina o le vevela o le 4.8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C), o le CVD tele SiC e teteʻe atu i le faʻateʻa vevela, faʻamautu le tulaga mautu e oʻo lava i le taimi vave o le vevela ma le malulu.
•Malosi ile Plasma:O le faʻaalia i le plasma ma kasa faʻafefe e le maalofia i faiga semiconductor, aeCVD tele SiCofo atu le tete'e sili atu i le pala ma le fa'aleagaina, fa'aitiitia le fa'asolo taimi ma le tau atoa o le tausiga.
Fa'amatalaga Fa'apitoa:
•lapoa:Sili atu i le 305 mm
•Resistivity:Fa'atonu i totonu ole 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Malosi:3.2 g/cm³
•Amioga vevela:300 W/m·K
•Coefficient Fa'alauteleina o le vevela:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Fa'asinomaga ma Fetuuna'i:ISemicera Semiconductor, matou te malamalama o talosaga uma semiconductor atonu e manaʻomia ai faʻamatalaga eseese. O le mea lea e mafai ai ona fa'amanino atoatoa a matou vaega o le CVD SiC, fa'atasi ai ma le fa'asa'o fa'asa'o ma fua fa'atatau e fetaui ma au meafaigaluega. Pe o lo'o e fa'amalieina lau masini etching plasma po'o le su'eina o vaega tumau i le RTP po'o le fa'asalalauina, o la matou CVD tele SiC e maua ai le fa'atinoga e le mafaatusalia.
