Semicera'sSiC foee fa'ainisinia mo sina fa'alauteleina o le vevela, e maua ai le mautu ma le sa'o i faiga e taua tele ai le sa'o o le fua. O le mea lea e lelei ai mo talosaga i meawaferso lo'o a'afia i ta'amilosaga fa'avevela ma fa'alili, a'o fa'atumauina e le va'a wafer lona fa'atonuga lelei, fa'amautinoa le fa'atinoina o galuega.
Fa'aofiina Semicera'sfoe fa'asalalau silika carbidei totonu o lau laina gaosiga o le a faʻaleleia atili ai le faʻatuatuaina o lau gaioiga, faʻafetai i le maualuga o latou vevela ma vailaʻau. O nei foe e lelei atoatoa mo faʻasalalauga, faʻamaʻi, ma faʻagaioiga faʻapipiʻi, faʻamautinoa o loʻo taulimaina ma le faʻaeteete ma le saʻo lelei i laʻasaga taʻitasi.
O mea fou o lo'o i totonu ole Semicera'sSiC foemamanu. O nei foe ua fa'aogaina ina ia fetaui lelei i masini semiconductor o lo'o i ai nei, e maua ai le fa'aleleia atili o le taulimaina. O le fausaga mama ma le mamanu ergonomic e le gata ina faʻaleleia le felauaiga o le wafer ae faʻaitiitia ai foʻi taimi faʻagaioiga, e mafua ai le faʻaleleia o le gaosiga.
| Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| Meatotino | Taua masani |
| vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC anotusi | > 99.96% |
| Free Si anotusi | < 0.1% |
| Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
| E aliali mai le porosity | <16% |
| Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
| Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| Fa'ateleina le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
| Fa'aula'i fa'alava | 240 GPa |
| Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
