SiC Epitaxy WaferE iai le tele o fetuutuuna'iga a le ta'avale. E le gata ina lagolagoina le liua fetuutuunai o6-inisi osiavefeau ma2-inisi osi falaoamataave, ae mafai foi ona faʻaaogaina i le tele o mea epitaxy meafaigaluega, e aofia ai ituaiga epitaxy eseese e pei ole LPE SiC epitaxy. E le gata i lea, e mafai ona faʻaogaina le oloa faʻatasi ma vaʻavaʻavaʻavaʻa tioata e faʻamautinoa ai le felauaiga sologa lelei ma le maualuga o le faʻaogaina o faʻamaʻi, talafeagai mo le gaosiga o semiconductor maualuga manaʻomia.
Semicera'sSiC EpitaxyE fa'aaogaina e le Wafer Carrier le fa'aogaina o le vali fa'agata silicon carbide, lea e fa'aleleia atili ai le maualuga o le vevela ma le fa'afefeteina, ma fa'asilisili ai i si'osi'omaga lavelave epitaxy process. Pe i totonuGaN Epi Wafergaosiga po'o isi faiga epitaxy, oloa a semicera e mafai ona fa'amautinoa lelei le utaina o wafer, fa'aitiitia le atuatuvale ma fa'aletonu, ma fa'aleleia le lelei o le oloa mulimuli.
Semicera ua tuuto atu i le saunia lelei ma le faatuatuaina o vaifofo utaina mo le alamanuia semiconductor. Faatasi ai ma lona faatinoga lelei ma le mamanu, o leSiC Epitaxy WaferCarrier o se vaega taua i faiga epitaxy eseese, saunia le lagolago sili mo au meafaigaluega epitaxy.