Le SemiceraSiC Cantilever Wafer Foeua mamanuina e faʻafetaui ai manaʻoga o gaosiga faʻaonaponei semiconductor. Leneifoe mafolafolae ofoina atu le malosi faʻainisinia sili ona lelei ma le faʻafefeteina o le vevela, lea e taua tele mo le faʻaogaina o wafers i siosiomaga maualuga-vevela.
O le SiC cantilever design e mafai ai ona tu'u sa'o ma'i, fa'aitiitia ai le fa'aleagaina a'o tagofia. O le maualuga o le vevela e faʻamautinoa ai le tumau pea o le wafer e tusa lava pe i lalo o tulaga ogaoga, lea e taua tele mo le faʻamautuina o le gaosiga lelei.
I le faaopoopo atu i ona tulaga lelei, Semicera'sSiC Cantilever Wafer Foee ofoina atu foi tulaga lelei i le mamafa ma le tumau. O le fausaga mama e faigofie ai ona taulimaina ma tuʻufaʻatasia i faiga o loʻo i ai nei, ae o le maualuga-density SiC mea e faʻamautinoa ai le tumau umi i lalo o tulaga faigata.
| Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| Meatotino | Taua masani |
| vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC anotusi | > 99.96% |
| Free Si anotusi | < 0.1% |
| Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
| E aliali mai le porosity | <16% |
| Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
| Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| Fa'ateleina le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
| Fa'aula'i fa'alava | 240 GPa |
| Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
