VAEGA/1
Tu'u mea'ai, fa'amau fatu ma mama ta'iala i le ogaumu tioata tasi SiC ma le AIN na fa'atupuina i le auala PVT.
E pei ona faʻaalia i le Ata 2 [1], pe a faʻaaogaina auala felauaiga ausa (PVT) e saunia ai le SiC, o le tioata fatu o loʻo i totonu o le vaega maualalo o le vevela, o le SiC raw material o loʻo i totonu o le eria maualuga maualuga (luga o le 2400).℃), ma ua pala le mea mata e maua ai le SiXCy (e aofia ai le Si, SiC₂, Si₂C, ma isi).O le vaega ausa mea e feaveaia mai le itulagi vevela maualuga i le tioata fatu i le itulagi maualalo vevela, ffa'atupuina fatu fatu, tuputupu a'e, ma fa'atupuina tioata ta'itasi.O mea fa'aoga vevela o lo'o fa'aaogaina i lenei fa'agasologa, e pei o le pa'u, mama ta'ita'i tafe, fa'amau tioata fatu, e tatau ona tete'e i le vevela maualuga ma o le a le fa'aleagaina ai SiC mea mata'utia ma tioata tasi SiC.E faʻapea foʻi, o elemene faʻavevela i le tuputupu aʻe o tioata taʻitasi AlN e manaʻomia ona faʻasaʻo ile Al vapor, N.₂pala, ma e mana'omia le maualuga o le vevela (ma AlN) e faapuupuu le taimi sauniuni tioata.
Na maua o le SiC[2-5] ma le AlN[2-3] na saunia eTaC ua ufiufigraphite mea vevela fanua mama sa mama, toetoe lava leai carbon (okesene, nitrogen) ma isi eleelea, itiiti faaletonu pito, itiiti resistivity i itulagi taitasi, ma le micropore density ma etching lua density sa matua faaitiitia (ina ua uma KOH etching), ma le tulaga tioata. sa matua faaleleia.I le male,TaC u'umeafua faatatau o le pa'u mamafa e toetoe lava leai se mea, foliga e le fa'aleagaina, e mafai ona toe fa'aaogaina (ola e o'o atu i le 200h), e mafai ona fa'aleleia atili le fa'atumauina ma le lelei o ia sauniuniga tioata tasi.
ATA.2. (a) Ata fa'ata'ita'i o le SiC e tasi le tioata fa'ato'aga masini e ala ile PVT
(e) LugaTaC ua ufiufipuipui fatu (e aofia ai fatu SiC)
(i)mama ta'iala graphite ua ufiufi TAC
VAEGA/2
MOCVD GaN epitaxial layer fa'aola fa'avela
E pei ona fa'aalia i le Ata 3 (a), MOCVD GaN fa'atuputeleina ose fa'atekonolosi fa'apipi'i ausa kemikolo e fa'aogaina ai le fa'a'ese'esega o le okenometrical e tupu ai ata manifinifi e ala i le tuputupu a'e o le epitaxial ausa.O le saʻo o le vevela ma le tutusa i totonu o le gaʻo e avea ai le faʻavevela ma vaega sili ona taua o masini MOCVD.Pe o le substrate e mafai ona vevela vave ma tutusa mo se taimi umi (i lalo o le malulu faifai pea), o le mautu i le vevela maualuga (tetee i le kesi corrosion) ma le mama o le ata tifaga o le a aafia tuusaʻo le lelei o le teuina o ata tifaga, le mafiafia tumau, ma le faatinoga o le chip.
Ina ia faʻaleleia le faʻatinoga ma le toe faʻaleleia lelei o le faʻavevela i le MOCVD GaN faʻatupulaia faiga,TAC-faʻapipiʻiinafa'afeiloa'i ma le manuia le fa'avevela graphite.Fa'atusatusa i le GaN epitaxial layer na fa'atupuina e le fa'avevela masani (fa'aaogaina o le pBN coating), o le GaN epitaxial layer na fa'atupuina e le TaC fa'avevela e toetoe lava tutusa le fausaga tioata, mafiafia mafiafia, fa'aletonu o le tino, fa'aleagaina o le doping ma le fa'aleagaina.E le gata i lea, o leTaC fa'apipi'ie maualalo le resistivity ma maualalo emissivity luga, lea e mafai ona faʻaleleia le lelei ma le tutusa o le faʻavevela, ma faʻaitiitia ai le mana faʻaaogaina ma le vevela.O le porosity o le ufiufi e mafai ona fetuutuunai e ala i le faʻatonutonuina o faʻasologa o faʻagasologa e faʻaleleia atili ai uiga faʻavevela o le vevela ma faʻalauteleina lona ola tautua [5].O mea lelei e faiaTaC ua ufiufifa'avevela graphite o se filifiliga sili ona lelei mo faiga fa'atupulaia MOCVD GaN.
ATA.3. (a) Ata fa'ata'ita'i ole masini MOCVD mo le tuputupu a'e o le epitaxial GaN
(b) fa'a'avevela fa'avela TAC fa'apipi'i i le seti MOCVD, e le aofia ai le fa'avae ma le puipui (fa'ata'ita'iga o lo'o fa'aalia ai le fa'avae ma le puipui i le fa'avevela)
(c) fa'avevela graphite fa'apipi'iina TAC ina ua mae'a le tuputupu a'e o le epitaxial 17 GaN.[6]
VAEGA/3
Susceptor ua ufiufi mo epitaxy(wafer carrier)
Wafer carrier o se vaega taua tele mo le saunia o SiC, AlN, GaN ma isi vaega lona tolu semiconductor wafers ma epitaxial wafer tuputupu ae.O le tele o mea faʻapipiʻi o loʻo faia i le graphite ma faʻapipiʻiina i le SiC coating e tetee atu ai i le pala mai kesi gaioiga, faʻatasi ai ma le maualuga o le vevela o le epitaxial o le 1100 i le 1600.°C, ma o le faʻafefeteina o le paʻu puipui e taua tele i le olaga o le vaʻavaʻa.O fa'ai'uga o lo'o fa'aalia ai o le fa'a'a'ia o le TaC e 6 taimi e fa'agesegese ai nai lo le SiC ile maualuga o le ammonia.I le maualuga o le vevela o le hydrogen, o le fua o le pala e sili atu i le 10 taimi lemu nai lo SiC.
Ua fa'amaonia e fa'ata'ita'iga o fata o lo'o ufiufi i le TaC e fa'aalia lelei le fetaui lelei i le moli lanumoana GaN MOCVD ma e le fa'ailoa mai ai mea leaga.A maeʻa le faʻatapulaʻaina o le faʻagasologa o fetuunaiga, o taʻitaʻi e faʻaaogaina le TaC e faʻaalia ai le faʻatinoga tutusa ma le tutusa e pei o le SiC masani.O le mea lea, o le ola tautua o pallets faʻapipiʻiina TAC e sili atu nai lo le vaitusi maʻa maʻa maSiC ufiufipaleti kalafi.
Taimi meli: Mati-05-2024