1. Aisea ua i ai aufiufi carbide silikon
O le epitaxial layer o se ata tifaga manifinifi tioata tasi e tupu i luga o le faavae o le wafer e ala i le epitaxial process. E ta'ua fa'atasi le fa'ama'i ma'i ma le ata manifinifi epitaxial. Faatasi ai ma i latou, o lesilicon carbide epitaxialo lo'o fa'atupuina le laulau i luga o le su'ega carbide silicon conductive e maua ai se carbide silicon homogeneous epitaxial wafer, lea e mafai ona faia atili i masini eletise e pei o Schottky diodes, MOSFETs, ma IGBTs. Faatasi ai ma i latou, o le sili ona faʻaaogaina o le 4H-SiC substrate.
Talu ai o masini uma e masani ona iloa ile epitaxy, ole lelei oleepitaxyei ai se aafiaga tele i le faatinoga o le masini, ae o le lelei o le epitaxy e aafia i le faagasologa o tioata ma substrates. O lo'o i totonu o le so'oga ogatotonu o se alamanuia ma o lo'o iai sona sao taua tele i le atina'eina o le alamanuia.
O auala autu mo le saunia o le silicon carbide epitaxial layers o: auala tuputupu aʻe evaporation; epitaxy vaega vai (LPE); molecular beam epitaxy (MBE); fa'aputuga ausa vaila'au (CVD).
Faatasi ai ma i latou, o le vailaʻau faʻamaʻi (CVD) o le 4H-SiC sili ona lauiloa metotia homoepitaxial. 4-H-SiC-CVD epitaxy e masani ona faʻaaogaina meafaigaluega CVD, lea e mafai ona faʻamautinoa le faʻaauauina o le epitaxial layer 4H crystal SiC i lalo o tulaga maualuga o le vevela.
I masini CVD, e le mafai ona tuʻu saʻo le substrate i luga o le uʻamea pe naʻo le tuʻuina i luga o se faʻavae mo le faʻapipiʻiina o le epitaxial, aua e aofia ai mea eseese e pei o le tafega o le kesi (tutusa, tūsaʻo), vevela, mamafa, faʻapipiʻi, ma paʻu eleelea. O le mea lea, e manaʻomia se faʻavae, ona tuʻu lea o le substrate i luga o le tisiki, ona faia lea o le epitaxial deposition i luga o le substrate e faʻaaoga ai le tekonolosi CVD. O lenei fa'avae o le SiC coated graphite base.
I le avea ai o se vaega autu, o le faavae o le graphite o loʻo i ai uiga o le maualuga maualuga o le malosi ma le faʻapitoa faʻapitoa, lelei le teteʻe o le vevela ma le faʻamaʻiina o le corrosion, ae i le taimi o le gaosiga o le gaosiga, o le graphite o le a pala ma paʻu ona o le toega o kasa pala ma uʻamea uʻamea. mataupu, ma o le a matua faaitiitia le ola tautua o le faavae graphite.
I le taimi lava e tasi, o le pauta o le graphite o le a faʻaleagaina ai le pu. I le gaosiga o le gaosiga o le silicon carbide epitaxial wafers, e faigata ona faʻafetaui manaoga faʻateleina o tagata mo le faʻaogaina o mea graphite, lea e matua faʻatapulaaina ai lona atinaʻe ma le faʻaaogaina. O le mea lea, na amata ai ona tulaʻi mai tekinolosi faʻapipiʻi.
2. Tulaga lelei oSiC fa'apipi'i
O mea faʻaletino ma vailaʻau o le paʻu o loʻo i ai manaʻoga faʻapitoa mo le maualuga o le vevela ma le faʻafefeteina, lea e aʻafia ai le fua ma le ola o le oloa. O mea a le SiC e maualuga le malosi, maualuga le maaa, maualalo le faʻalauteleina o le vevela ma le lelei o le faʻaogaina o le vevela. O se mea taua maualuga-vevela faʻatulagaina mea ma maualuga-vevela mea semiconductor. E fa'aoga i le fa'avae graphite. O ona tulaga lelei:
-SiC e fa'afefete ma e mafai ona afifi atoa le faavae graphite, ma e lelei le mamafa e aloese ai mai le faaleagaina e le kesi pala.
-SiC o loʻo i ai le maualuga o le faʻauluina o le vevela ma le malosi faʻapipiʻi maualuga ma le faavae o le graphite, faʻamautinoa e le faigofie le paʻu o le ufiufi pe a uma le tele o le vevela ma le maualalo o le vevela.
-SiC o loʻo i ai le faʻamautu lelei o vailaʻau e puipuia ai le faʻapipiʻiina mai le toilalo i se maualuga-vevela ma le malulu.
E le gata i lea, o ogaumu epitaxial o mea eseese e manaʻomia ai fata graphite ma faʻailoga faʻatinoga eseese. E mana'omia le fetu'una'i o le fa'atuputeleina o le vevela o le ogaumu epitaxial ole fa'afetauiga ole fa'ameamea ole fa'ameamea. Mo se faʻataʻitaʻiga, o le vevela o le silicon carbide epitaxial growth e maualuga, ma e manaʻomia se fata e maualuga le faʻalauteleina o le faʻalauteleina o le vevela. O le faʻalauteleina o le vevela o le SiC e latalata tele i le graphite, ma faʻamaonia ai e avea ma mea e sili ona fiafia i ai mo le faʻapipiʻiina o le faʻavae o le kalafi.
O mea SiC e iai ituaiga tioata eseese, ma o mea sili ona taatele o le 3C, 4H ma le 6H. O ituaiga tioata eseese o SiC e eseese faʻaoga. Mo se faʻataʻitaʻiga, 4H-SiC e mafai ona faʻaogaina e gaosia ai masini maualuga; 6H-SiC e sili ona mautu ma e mafai ona faʻaaogaina e gaosia ai masini optoelectronic; 3C-SiC e mafai ona faʻaaogaina e gaosia ai GaN epitaxial layers ma gaosia masini SiC-GaN RF ona o lona fausaga tutusa ma GaN. 3C-SiC e masani ona taʻua o β-SiC. O se faʻaoga taua o le β-SiC o se ata manifinifi ma mea faʻapipiʻi. O le mea lea, o le β-SiC o loʻo avea nei ma mea autu mo le ufiufi.
SiC coatings e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga semiconductor. E masani ona faʻaaogaina i substrates, epitaxy, oxidation diffusion, etching ma ion implantation. O mea faʻaletino ma vailaʻau o le paʻu o loʻo i ai manaʻoga faʻapitoa i luga o le maualuga o le vevela ma le faʻamaʻiina o le corrosion, lea e aʻafia ai le fua ma le ola o le oloa. O le mea lea, o le sauniuniga o le SiC coating e taua tele.
Taimi meli: Iuni-24-2024