O masini eletise Semiconductor o loʻo i ai se tulaga autu i faiga faʻaeletoroni eletise, aemaise lava i le tulaga o le televave o le atinaʻeina o tekinolosi e pei o le atamai faʻapitoa, 5G fesoʻotaʻiga ma taavale malosi fou, o manaʻoga faʻatinoga mo i latou ua faʻaleleia.
Silicon carbide(4H-SiC) ua avea ma mea lelei mo le gaosiga o masini eletise semiconductor maualuga ona o ona tulaga lelei e pei o le vaeluaga o le fusi, maualuga le vevela, maualuga le malosi o le fanua, maualuga le saturation drift rate, vailaʻau mautu ma le faʻamalositino. Ae ui i lea, o le 4H-SiC e maualuga le maaa, maualuga le pala, malosi faʻamaʻi vailaʻau, ma le maualuga o le gaioiga faigata. O le tulaga lelei o le mea'ai o lona substrate wafer e taua tele mo fa'aoga masini tetele.
O le mea lea, o le faʻaleleia atili o le maualuga o le 4H-SiC substrate wafers, aemaise lava le aveeseina o le faʻaleagaina o le lapisi i luga o le faʻaogaina o le gaogao, o le ki lea i le ausiaina lelei, maualalo ma le maualuga o le 4H-SiC substrate wafer processing.
Fa'ata'ita'iga
O le faʻataʻitaʻiga e faʻaaogaina ai le 4-inisi N-type 4H-SiC ingot e tupu aʻe e ala i le felauaiga ausa faaletino, lea e faʻaogaina e ala i le tipiina o le uaea, faʻafefeteina, faʻafefeteina, olo lelei ma polesi, ma faʻamaumau le mafiafia o le C ma le Si luga. ma le mafiafia fa'amama fa'ai'u i faiga ta'itasi.
Ata 1 Ata fa'ata'ita'i o le fausaga tioata 4H-SiC
Ata 2 O le mafiafia ua aveese mai le itu C ma le Si-itu o le 4H-SiC waferpe a maeʻa laasaga gaioiga eseese ma le mafiafia o wafer pe a maeʻa le gaosiga
O le mafiafia, morphology i luga, talatala ma mea faʻainisinia o le wafer na faʻamaonia atoatoa e le suʻega faʻataʻitaʻiga o le geometry, faʻalavelave faʻaeseese microscope, microscope malosi atomic, mea e fuaina ai luga ma nanoindenter. E le gata i lea, na faʻaaogaina le diffractometer X-ray maualuga maualuga e iloilo ai le lelei tioata o le wafer.
O nei faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga ma metotia faʻataʻitaʻiga e tuʻuina atu ai faʻamatalaga faʻapitoa faʻapitoa mo le suʻesuʻeina o le faʻaaogaina o meafaitino ma le tulaga lelei i luga ole taimi ole gaioiga ole 4H-SiC wafers.
E ala i faʻataʻitaʻiga, na suʻesuʻeina ai e le au suʻesuʻe suiga i le fua faatatau o meafaitino (MRR), morphology ma le gaʻo, faʻapea foʻi ma mea faʻainisinia ma le tulaga tioata o le 4H-SiC wafersi laasaga eseese o le gaosiga (otiina uaea, olo, talatala, solo lelei, faʻalelei).
Ata 3 Fa'ato'a aveese mea ole C-foliga ma Si-foliga ole 4H-SiC waferi laasaga eseese o gaioiga
Na maua e le suʻesuʻega ona o le anisotropy o mea faʻainisinia o foliga tioata eseese o le 4H-SiC, o loʻo i ai se eseesega i le MRR i le va o C-face ma Si-face i lalo o le faiga lava e tasi, ma o le MRR o C-face e sili atu le maualuga nai lo o le Si-foliga. Faatasi ai ma le alualu i luma o laasaga o gaioiga, o le morphology o luga ma le gaogao o 4H-SiC wafers ua faasolosolo malie ona faʻaleleia. A maeʻa ona faʻamalo, o le Ra o C-foliga o le 0.24nm, ma le Ra o Si-foliga e oʻo atu i le 0.14nm, lea e mafai ona faʻafetaui manaʻoga o le tuputupu aʻe o le epitaxial.
Ata 4 Ata fa'ata'ita'i o le mata o le C surface (a~e) ma le Si surface (f~j) o le 4H-SiC wafer pe a mae'a laasaga eseese o gaioiga.
Ata 5 Atomic force microscope ata o le C surface (a~c) ma le Si surface (d~f) o le 4H-SiC wafer pe a uma CLP, FLP ma CMP laasaga gaioiga.
Ata 6 (a) elastic modulus ma (b) maaa o le C surface ma Si surface o le 4H-SiC wafer pe a uma laasaga gaioiga eseese.
O le suʻega faʻainisinia o loʻo faʻaalia ai o le C luga o le wafer e sili atu le malosi nai lo le Si luga mea, o se tikeri sili atu o le gau gau i le taimi o le gaioiga, vave le aveeseina o mea, ma le leaga o le morphology ma le gaʻo. O le aveeseina o le faʻamaʻi faʻaleagaina i luga o le faʻapipiʻiina o le ki lea i le faʻaleleia atili o le tulaga lelei o le wafer. O le afa-maualuga lautele o le 4H-SiC (0004) luʻitau pupuni e mafai ona faʻaogaina e faʻamaonia ma saʻo lelei ma auʻiliʻili le faʻaleagaina o le vaega o le wafer.
Ata 7 (0004) fa'aluelue pupuni afa-lautele ole C-foliga ma Si-foliga ole 4H-SiC wafer pe a uma laasaga gaioiga eseese.
O faʻaiʻuga o suʻesuʻega o loʻo faʻaalia ai e mafai ona aveese malie le faʻaleagaina o le lapisi o le wafer pe a maeʻa le gaosiga o le 4H-SiC, lea e faʻaleleia lelei ai le tulaga maualuga o le wafer ma maua ai se faʻamatalaga faʻapitoa mo le maualuga, maualalo le gau ma le maualuga o le gaosiga. o 4H-SiC substrate wafers.
Na faʻatautaia e le au suʻesuʻe 4H-SiC wafers e ala i laʻasaga eseese o gaioiga e pei o le tipiina o le uaea, faʻafefeteina, faʻafefeteina, olo lelei ma polesi, ma suʻesuʻeina aʻafiaga o nei faiga i luga o le tulaga lelei o le wafer.
O fa'ai'uga o lo'o fa'aalia ai, fa'atasi ai ma le fa'agasolo i luma o le fa'agasologa o la'asaga, e fa'asolosolo malie le fa'aleleia atili o le fa'avasegaina o luga ma le talatala o le wafer. A maeʻa le faʻamalo, o le gaogao o le C-face ma Si-face e oʻo atu i le 0.24nm ma le 0.14nm taʻitasi, lea e fetaui ma manaʻoga o le tuputupu aʻe o le epitaxial. O le C-foliga o le wafer e sili atu lona malosi nai lo le Si-foliga mea, ma e sili atu ona faigofie ona gau gau i le taimi o gaioiga, e mafua ai le leaga o le morphology ma le gaogao. O le aveeseina o le faʻaleagaina o le faʻaleagaina o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le ki lea i le faʻaleleia atili o le tulaga lelei o le wafer. O le afa-lautele o le 4H-SiC (0004) gaʻo faʻafefete e mafai ona faʻaalia ma le saʻo lelei le faʻaleagaina o luga o le papa o le wafer.
O suʻesuʻega o loʻo faʻaalia ai o le faʻaleagaina o le papa i luga o le 4H-SiC wafers e mafai ona faʻasolosolo ona aveese e ala i le 4H-SiC wafer processing, faʻaleleia lelei le tulaga maualuga o le wafer, tuʻuina atu se faʻamatalaga faʻapitoa mo le maualuga-lelei, maualalo- gau, ma le maualuga- gaosiga lelei o 4H-SiC substrate wafers.
Taimi meli: Iul-08-2024