Metotia mo le saunia o le fa'apipi'i carbide silicon

I le taimi nei, o auala sauniuni oSiC fa'apipi'ie masani lava ona aofia ai le gel-sol method, fa'apipi'i auala, pulumu auala fa'apipi'i, plasma spraying method, chemical reaction method (CVR) and chemical vapor deposition method (CVD).

Metotia fa'apipi'i:

O le metotia o se ituaiga o le maualuga o le vevela o le sintering vaega, lea e masani ona faʻaaogaina le faʻafefiloi o le paʻu Si ma le paʻu C e pei o le faʻapipiʻiina o le paʻu, o le graphite matrix o loʻo tuʻuina i totonu o le faʻapipiʻiina o le paʻu, ma le maualuga o le vevela o le sintering o loʻo faia i totonu o le kesi inert. , ma mulimuli ane ai leSiC fa'apipi'ie maua i luga o le mata o le graphite matrix. O le faagasologa e faigofie ma o le tuufaatasiga i le va o le ufiufi ma le substrate e lelei, ae o le tutusa o le ufiufi i luga o le itu mafiafia e le lelei, lea e faigofie ona maua ai le tele o pu ma taitai atu ai i le le lelei o le faʻamaʻiina.

 

Auala e ufiufi ai le pulumu:

O le auala e faʻapipiʻi ai le pulumu e masani lava o le fufuluina o mea mataʻu vai i luga o le mata o le graphite matrix, ona faʻamalolo ai lea o mea mata i se vevela faapitoa e saunia ai le ufiufi. O le faagasologa e faigofie ma e maualalo le tau, ae o le faʻapipiʻi saunia e ala i le pulumu faʻapipiʻi auala e vaivai i le tuʻufaʻatasia ma le substrate, e le lelei le faʻaogaina o le ufiufi, e manifinifi le ufiufi ma e maualalo le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina, ma isi metotia e manaʻomia e fesoasoani ai. lea.

 

Auala e sasaina ai le plasma:

O le auala e faʻafefe ai le plasma e masani lava ona faʻapipiʻi mea faʻafefete faʻafefete pe semi-liusuavai i luga o le mata o le graphite matrix ma se fana plasma, ona faʻamalosi lea ma faʻapipiʻi e fai ai se ufiufi. O le auala e faigofie ona faʻaogaina ma e mafai ona saunia se faʻapipiʻi carbide silicon mafiafia, ae o le carbide coating silicon ua saunia e le metotia e masani ona vaivai tele ma oʻo atu ai i le vaivai o le faʻamaʻiina o le oxidation, o lea e masani ona faʻaaogaina mo le saunia o le SiC faʻapipiʻi faʻapipiʻi e faʻaleleia atili. le lelei o le ufiufi.

 

Metotia gel-sol:

O le auala gel-sol e masani lava ona saunia se toniga ma manino sol fofo e ufiufi ai luga o le matrix, faʻamago i totonu o se gel ona faʻapipiʻi ai lea e maua ai se ufiufi. O lenei metotia e faigofie ona faʻaogaina ma maualalo i le tau, ae o le faʻapipiʻiina o loʻo gaosia o loʻo i ai ni faaletonu e pei o le maualalo o le teteʻe o le vevela ma le faigofie ona taʻe, o lea e le mafai ona faʻaaogaina lautele.

 

Fa'a'a'ai Kesi (CVR):

O le CVR e tele lava ina gaosiaSiC fa'apipi'ie ala i le faʻaaogaina o le Si ma le SiO2 paʻu e faʻatupu ai le ausa SiO i le maualuga o le vevela, ma o se faasologa o gaioiga faʻasolosolo e tupu i luga o le C material substrate. O leSiC fa'apipi'isaunia e lenei metotia e vavalalata vavalalata i le substrate, ae o le vevela o le tali e maualuga atu ma maualuga le tau.

 

Fa'afitia Ausa Fa'ama'i (CVD):

I le taimi nei, o le CVD o le tekinolosi autu mo le sauniuniSiC fa'apipi'iluga o le mea'ai. O le fa'agasologa autu o se fa'asologa o gaioiga fa'aletino ma vaila'au o mea e fa'afefeteina vaega kesi i luga o le substrate surface, ma mulimuli ane saunia le SiC coating e ala i le tu'uina i luga o le substrate surface. O le SiC coating saunia e tekinolosi CVD e vavalalata vavalalata i luga o le substrate, lea e mafai ona faʻaleleia lelei ai le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina ma le faʻafefeteina o mea faʻapipiʻi, ae o le taimi o le tuʻuina atu o lenei metotia e umi atu, ma o le kesi tali e iai se mea oona. kesi.