Semicera Semiconductor fuafuaga e faʻateleina le gaosiga o vaega autu mo masini gaosi semiconductor i le lalolagi atoa. E oʻo atu i le 2027, matou te faʻamoemoe e faʻavae se fale fou 20,000 sikuea mita faʻatasi ai ma le aofaʻi o tupe faʻaalu o le 70 miliona USD. O se tasi o tatou vaega autu, o lecarbide silika (SiC)., ua lauiloa foi o se susceptor, ua vaaia le alualu i luma taua. O le a tonu la le fata lea o lo'o fa'amauina ai masi?
I le fa'agasologa o le gaosiga o le wafer, o fa'apalapala epitaxial o lo'o fausia i luga o nisi mea fa'apipi'i e fai ai masini. Mo se faʻataʻitaʻiga, o le GaAs epitaxial layers o loʻo saunia i luga o le silicon substrates mo masini LED, SiC epitaxial layers o loʻo faʻatupuina i luga o le conductive SiC substrates mo le eletise e pei o SBDs ma MOSFETs, ma GaN epitaxial layers o loʻo fausia i luga ole semi-insulating SiC substrates mo talosaga RF e pei ole HEMTs. . O lenei faiga e fa'alagolago tele i aifa'aputuga ausa vaila'au (CVD)meafaigaluega.
I masini CVD, e le mafai ona tu'u sa'o mea'ai i luga o u'amea po'o se fa'avae faigofie mo le tu'uina o le epitaxial ona o mea eseese e pei o le tafe o le kesi (tutusa, tu'usa'o), vevela, mamafa, mautu, ma le fa'aleagaina. O le mea lea, e faʻaaogaina se susceptor e tuʻu ai le meaʻai i luga, e mafai ai ona faʻaogaina le epitaxial e faʻaaoga ai tekinolosi CVD. O lenei susceptor o leSusceptor graphite ua ufiufi SiC.
Susceptors graphite ufiufi SiC e masani ona fa'aogaina i masini fa'ameamea (MOCVD) e lagolago ai ma fa'avela ai mea fa'a'aisa tasi. Le mautu vevela ma le tutusa o Susceptors graphite ufiufi SiCe taua tele mo le tuputupu aʻe lelei o mea epitaxial, avea i latou ma vaega autu o masini MOCVD (taʻitaʻia kamupani masini MOCVD e pei o Veeco ma Aixtron). I le taimi nei, o loʻo faʻaaogaina le tekonolosi MOCVD i le tuputupu aʻe o le epitaxial o ata GaN mo moli lanumoana ona o lona faigofie, faʻatonutonuina le tuputupu aʻe, ma le mama maualuga. I le avea ai o se vaega taua o le MOCVD reactor, o lesusceptor mo le tuputupu ae epitaxial ata tifaga GaNe tatau ona i ai le maualuga-vevela teteʻe, toniga faʻavevela vevela, mautu vailaʻau, ma malosi teteʻe teʻi vevela. E fetaui lelei le graphite i nei manaoga.
I le avea ai o se vaega autu o meafaigaluega MOCVD, o le graphite susceptor e lagolagoina ma faʻamafanafanaina mea faʻapipiʻi tasi, e aʻafia ai le tutusa ma le mama o mea ata tifaga. O lona tulaga lelei e a'afia tonu ai le tapenaga o ufi epitaxial. Ae ui i lea, i le faʻateleina o le faʻaaogaina ma le fesuisuiai o tulaga faigaluega, o le graphite susceptors e faigofie ona masaesae ma ua manatu o mea e faʻaaogaina.
MOCVD susceptorse manaʻomia le iai o ni uiga faʻapipiʻi e faʻafetaui ai manaʻoga nei:
- - Lelei fa'asalalau:O le ufiufi e tatau ona ufiufi atoa le susceptor graphite i le maualuga maualuga e puipuia ai le pala i se siosiomaga kesi pala.
- - Malosi fa'atasi maualuga:O le ufiufi e tatau ona pipii malosi i le graphite susceptor, faʻafefe le tele o le vevela ma le maualalo o le vevela e aunoa ma le paʻu ese.
- -Fa'amautu kemisi:O le ufiufi e tatau ona mautu kemikolo e aloese ai mai le toilalo i le maualuga o le vevela ma le ea.
SiC, faʻatasi ai ma lona faʻafefeteina, maualuga le vevela, faʻalavelave faʻafuaseʻi, ma le mautu o vailaʻau, e faʻatino lelei i le siosiomaga epitaxial GaN. E le gata i lea, o le faʻalauteleina o le vevela o le SiC e tutusa ma le graphite, ma avea ai le SiC ma mea e sili ona fiafia i ai mo paʻu o le susceptor graphite.
I le taimi nei, o ituaiga masani o SiC e aofia ai le 3C, 4H, ma le 6H, e fetaui lelei mo faʻaoga eseese. Mo se faʻataʻitaʻiga, e mafai e le 4H-SiC ona gaosia masini maualuga, 6H-SiC e faʻamautu ma faʻaaogaina mo masini optoelectronic, aʻo 3C-SiC e tutusa i le fausaga o le GaN, e talafeagai mo GaN epitaxial layer production ma SiC-GaN RF masini. 3C-SiC, e lauiloa foi o le β-SiC, e masani ona faʻaaogaina e fai ma ata tifaga ma mea faʻapipiʻi, ma avea ai ma mea muamua mo faʻaofuofu.
E eseese auala e saunia aiSiC coatings, e aofia ai le sol-gel, faʻapipiʻi, pulumu, faʻasalaina o le plasma, faʻafefe o ausa vailaʻau (CVR), ma le tuʻuina atu o ausa vailaʻau (CVD).
Faatasi ai ma nei mea, o le auala e faʻapipiʻi ai o se faʻagasologa o le sintering faʻasolosolo maualuga-vevela. E ala i le tuʻuina o le mea faʻapipiʻi kalafi i totonu o se paʻu faʻapipiʻi o loʻo i ai le paʻu Si ma le C ma faʻapipiʻiina i totonu o se siʻosiʻomaga kesi lega, o se SiC faʻapipiʻi foliga i luga o le graphite substrate. O lenei metotia e faigofie, ma o le faʻapipiʻiina e fesoʻotaʻi lelei ma le meaʻai. Ae ui i lea, o le ufiufi e leai se mafiafia mafiafia ma e ono i ai pores, e mafua ai le le lelei o le faʻamaʻiina o le faʻamaʻi.
Metotia Fa'apalapala Fa'asala
O le auala e fa'apipi'i ai e aofia ai le su'iina o mea mata'utia vai i luga o le mea'ai o le kalafi ma fa'amalo i se vevela fa'apitoa e fai ai se ufiufi. O lenei metotia e faigofie ma taugofie ae e mafua ai le vaivai o le fusi i le va o le faʻapipiʻiina ma le substrate, le lelei o le faʻapipiʻiina o le faʻapipiʻiina, ma le paʻu manifinifi ma le maualalo o le faʻamaʻiina o le oxidation, e manaʻomia ai auala fesoasoani.
Metotia Fa'asalaina Ion Beam
E fa'aogaina e le fa'alava o le ion se fana fa'alava e fa'asusu ai mea liusuavai po'o ni vaega liusuavai i luga o le mea'ai o le kalafi, e fai ai se pa'u pe a fa'amaua. O lenei metotia e faigofie ma e maua ai le SiC faʻapipiʻi mafiafia. Ae ui i lea, o paʻu manifinifi e vaivai le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina, e masani ona faʻaaogaina mo SiC faʻapipiʻi faʻapipiʻi e faʻaleleia ai le lelei.
Sol-Gel Method
Ole auala ole sol-gel e aofia ai le saunia o se toniga, manino sol solution, ufiufi luga ole substrate, ma le mauaina o le ufiufi pe a uma ona faʻagogo ma sintering. O lenei metotia e faigofie ma taugofie ae e maua ai le faʻaofuofu e maualalo le teteʻi vevela ma le faʻafefe i le taʻe, faʻatapulaʻaina lona faʻaogaina lautele.
Fa'asagaga o Ausa Fa'ama'i (CVR)
E fa'aogaina e le CVR le pa'u Si ma le SiO2 i le vevela maualuga e fa'atupuina ai le ausa o le SiO, lea e fa'agaioi ma le mea'ai kaponi e fausia ai se SiC coating. O le fa'ai'uga o le SiC fa'apipi'i e pipii mau ma le mea'ai, ae o le fa'agasologa e mana'omia ai le maualuga o le vevela ma le tau.
Fa'ate'a ausa (CVD)
O le CVD o le auala muamua lea mo le sauniaina o siC coatings. E a'afia ai fa'agaioiga o le kasa i luga o le graphite substrate surface, lea e fa'agasolo ai mea fa'aletino ma vaila'au, fa'aputu e pei o se SiC coating. E maua mai e le CVD ni pa'u SiC fa'apipi'i mau e fa'aleleia ai le fa'ama'iina o le mea'ai ma le fa'amama. Peita'i, e umi taimi e teu ai le CVD ma e ono a'afia ai kasa oona.
Tulaga Maketi
I le SiC-coated graphite susceptor maketi, o tagata gaosi oloa mai fafo o loʻo i ai se taʻitaʻia taua ma maualuga sea maketi. Semicera ua manumalo i tekinolosi autu mo le tuputupu aʻe o le SiC coating i luga o le graphite substrates, tuʻuina atu fofo e faʻafesoʻotaʻi ai le vevela, modulus elastic, malo, faaletonu lattice, ma isi faʻafitauli lelei, faʻataunuʻu atoatoa mea e manaʻomia mo le MOCVD.
Vaaiga i le Lumanai
Ole alamanuia semiconductor a Saina o loʻo faʻatupulaia vave, faʻatasi ai ma le faʻateleina o le faʻaogaina o masini epitaxial MOCVD ma faʻalauteleina talosaga. O le SiC-coated graphite susceptor maketi e faʻamoemoe e tupu vave.
Fa'ai'uga
I le avea ai o se vaega taua i masini semiconductor tu'ufa'atasia, o le fa'ata'ita'iina o le fa'atekonolosi fa'atosina autu ma le fa'avasegaina o susceptors graphite siC-coated e matua taua tele mo le pisinisi semiconductor a Saina. O lo'o fa'aolaola le fanua susceptor graphite i totonu o le atunu'u, fa'atasi ai ma tulaga lelei o oloa e o'o atu i tulaga fa'avaomalo.Semicerao loʻo taumafai e avea ma taʻutaʻua faʻatau oloa i lenei matata.
Taimi meli: Iul-17-2024