Fa'amatalaga
O leSilicon Carbide Discmo le MOCVD mai le semicera, o se fofo maualuga-faʻatinoina ua fuafuaina mo le sili ona lelei i le faʻagasologa o le tuputupu aʻe o le epitaxial. O le semicera Silicon Carbide Disc e ofoina atu le faʻamautuina o le vevela ma le saʻo, ma avea ai ma vaega taua i Si Epitaxy ma SiC Epitaxy faagasologa. Inisinia e tetee atu i le maualuga o le vevela ma tulaga faigata o talosaga MOCVD, o lenei tisiketi faʻamautinoa le faʻatuatuaina ma le umi o le ola.
O la matou Silicon Carbide Disc e fetaui ma le tele o seti MOCVD, e aofia aiMOCVD Susceptorfaiga, ma lagolagoina faiga alualu i luma e pei o GaN i le SiC Epitaxy. E tu'ufa'atasia lelei ma le PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ma le RTP Carrier system, fa'aleleia le sa'o ma le lelei o au gaosiga o gaosiga. Pe fa'aaogaina mo le fa'aogaina o le Monocrystalline Silicon po'o le LED Epitaxial Susceptor applications, o lenei tisiketi e mautinoa ai fa'ai'uga tulaga ese.
E le gata i lea, o le Semicera's Silicon Carbide Disc e mafai ona fetuutuunai i fetuutuunaiga eseese, e aofia ai Pancake Susceptor ma Barrel Susceptor setups, ofoina fetuutuunai i siosiomaga gaosiga eseese. O le faʻaofiina o Vaega o Photovoltaic e faʻalautele atili ai lona faʻaogaina i alamanuia o le malosi o le la, ma avea ai o se vaega tele ma taua mo aso nei.epitaxialtuputupu aʻe ma semiconductor gaosiga.
Vaega Autu
1 .High mama SiC ufiufi graphite
2. Tete'e vevela sili & tutusa vevela
3. LeleiSiC ua ufiufi tioatamo se mea lamolemole
4. Maumau maualuga e faasaga i le faamamaina o vailaau
Fa'amatalaga autu o le CVD-SIC Coatings:
SiC-CVD | ||
Malosi | (g/cc) | 3.21 |
Malosi fa'apa'u | (Mpa) | 470 |
Fa'alauteleina o le vevela | (10-6/K) | 4 |
Fa'avevela vevela | (W/mK) | 300 |
afifiina ma uta
Avanoa Avanoa:
10000 Piece/Pieces i le masina
afifiina ma Tiliva:
Fa'aputuina: Fa'auma ma Malosi
Poly taga + Pusa + Pusa + Pusa
Taulaga:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Taimi muamua:
Aofa'i (Isi) | 1-1000 | >1000 |
Est. Taimi(aso) | 30 | Ia feutagai |